MCP601/2/3/4
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，T
A
= + 25 ° C，V
DD
= + 2.7V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，V
CM
= V
DD
/2,
R
L
= 100 kΩ到V
DD
/2, V
OUT
≈
V
DD
/ 2和C
L
= 50 pF的。
120
开环增益（分贝）
100
80
60
40
20
0
-20
-40
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
1.E+04
1.E+05
1.E+06
1.E+07
0
静态电流每
放大器（ μA ）
开环相位（ ° ）
收益
相
-30
-60
-90
-120
-150
-180
-210
0.1
1
10
100
1k
10K 100K 1M 10M
-240
300
250
200
150
100
50
0
I
O
= 0
-40°C
+25°C
+85°C
+125°C
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
电源电压（ V）
频率（Hz）
图2-1：
频率。
3.5
3.0
摆率（ V / μs的）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
开环增益，相位与
图2-4：
电源电压。
300
静态电流每
放大器（ μA ）
250
200
150
100
50
0
静态电流 -
V
DD
= 5.0V
下降沿
I
O
= 0
V
DD
= 5.5V
上升沿
V
DD
= 2.7V
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
环境温度（ ℃）
环境温度（ ℃）
图2-2：
压摆率与温度的关系。
图2-5：
温度。
10µ
输入噪声电压密度
(V/
√
赫兹）
10,000
静态电流 -
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
增益带宽积
下午，G = 1
-25
0
25
50
75
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
100 125
增益带宽积
（兆赫）
相位裕量，G = 1 （ ° ）
1µ
1,000
100n
100
10n
0.1
10
1.E-01
1.E+00
1
10
1.E+01
100
1.E+02
1k
1.E+03
10k
1.E+04
100k
1.E+05
1M
1.E+06
环境温度（ ℃）
频率（Hz）
图2-3：
增益带宽积，
相位裕度与温度的关系。
图2-6：
与频率。
输入噪声电压密度
2004年Microchip的科技公司
DS21314F第5页
MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
