MCP3004/3008
电气连接特定的阳离子（续）
电气特性：
除非另有说明，所有参数均适用于V
DD
= 5V, V
REF
= 5V,
T
AMB
= -40 ° C至+ 85 ° C，F
样品
= 200 KSPS和f
CLK
= 18*f
样品
。除非另有说明，典型值适用于
V
DD
= 5V ，T
AMB
= 25°C.
参数
模拟输入
输入电压范围为CH0或
CH1在单端模式
输入电压范围为IN +中
伪差分模式
在输入电压范围为IN-
伪差分模式
漏电流
开关导通电阻
采样电容
数字输入/输出
数据编码格式
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入漏电流
输出漏电流
引脚电容
（所有输入/输出）
时序参数
时钟频率
时钟高电平时间
时钟低电平时间
CS下降至第一个CLK上升沿
CS下降到CLK的下降沿边缘
数据输入建立时间
数据输入保持时间
CLK下降到输出数据有效
CLK下降到输出使能
CS上升到输出禁止
CS禁用时间
D
OUT
上升时间
D
OUT
下降时间
f
CLK
t
HI
t
LO
t
SUCS
t
惩教署
t
SU
t
HD
t
DO
t
EN
t
DIS
t
CSH
t
R
t
F
—
125
125
100
—
—
—
—
—
—
270
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
3.6
1.35
—
—
—
0
50
50
125
200
125
200
100
—
100
100
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
见测试电路，图1-2
1)
见测试电路，图1-2
1)
V
DD
= 5V ，见图1-2
V
DD
= 2.7V ，见图1-2
V
DD
= 5V ，见图1-2
V
DD
= 2.7V ，见图1-2
见测试电路，图1-2
V
DD
= 5V （注
V
DD
= 2.7V （注
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
C
IN
,
C
OUT
4.1
—
-10
-10
—
直接二进制
0.7 V
DD
—
—
—
—
—
—
—
—
0.3 V
DD
—
0.4
10
10
10
V
V
V
V
µA
µA
pF
I
OH
= -1毫安，V
DD
= 4.5V
I
OL
= 1毫安， V
DD
= 4.5V
V
IN
= V
SS
或V
DD
V
OUT
= V
SS
或V
DD
V
DD
= 5.0V （注
T
AMB
= 25 ° C，F = 1兆赫
V
SS
IN-
V
SS
-100
—
—
—
—
—
—
0.001
1000
20
V
REF
V
REF
+ IN-
V
SS
+100
±1
—
—
mV
µA
Ω
pF
参见图4-1
参见图4-1
V
符号
民
典型值
最大
单位
条件
注1 ：
此参数仅为特征值，并未经过100 ％测试。
2:
请参阅相关的线性性能，以V曲线
REF
的水平。
3:
因为采样电容终将释放电荷，因此低于10 kHz的有效时钟速率可能影响线性
性能，尤其是在高温下。参见第6.2节“保持最小时钟速率” ，
了解更多信息。
©
2007 Microchip的技术公司
DS21295C第3页
MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
