93LC66A/B
3.0
功能说明
3.2
数据输入（ DI ）数据输出（ DO ）
指令，地址和写数据移入
DI引脚上的时钟（ CLK ）的上升沿。在DO
引脚处于高阻抗状态正常举行时除外
从设备中读取数据，或检查时，
在编程操作期间，就绪/忙状态。
该READY / BUSY状态可以在一个VERI网络版
通过查询DO管脚擦除/写入操作; DO
低表明编程仍在进行中，而
做高表示设备已准备就绪。 DO线进入
高Z状态在CS的下降沿。
它可以连接所述数据输入（ DI）和数据输出
（ DO ）引脚连接在一起。然而，这种配置，如果
A0为逻辑高电平时，它有可能为一个“总线CON FL信通”
出现了“假零”它出现在中
读操作。在这种条件下的电压
可见，在数据输出电平为理解过程把网络定义和依赖
后的数据输出和显的相对阻抗
最终源极驱动A0 。较高的电流源
A0 ，较高的数据输出的电压的能力
引脚。
3.1
启动条件
3.3
数据保护
START位是由设备，如果CS和DI检测
都是高电平相对于CLK的上升沿
首次。
之前检测到启动条件， CS ， CLK和DI
在任何组合可以改变（除非是一
启动条件） ，而不会导致任何设备能操作
通报BULLETIN （ ERASE ， ERAL ， EWDS ， EWEN ，读取，写入，
和WRAL ） 。当CS为高电平时，该装置是不
在待机模式下更长的时间。
一个指令到启动条件将只
如果所需的操作码量执行
地址和数据位的任何特定指令是
移入。
在指令执行（即时钟或缩小后
最后需要的地址或数据位） CLK和DI
成为不在乎位，直到一个新的START条件
检测到。
在上电期间，所有的编程操作模式
被禁止，直到V
CC
已经达到一个电平大于
2.2V 。在掉电模式下，源数据保护
电路的作用是抑制所有的编程模式时，
VCC已经跌破2.2V标称条件。
擦除/写入禁止（EWDS ）和擦除/
写使能（ EWEN ）命令提供额外的亲
tection对去甲期间发生意外编程
MAL操作。
上电后，设备会自动在
EWDS模式。因此， EWEN指令必须是
任何擦除或写入指令之前执行
可以被执行。
图3-1：
CS
同步数据时序
V
IH
V
IL
V
IH
T
CSS
T
长实
T
CKL
T
CSH
CLK
V
IL
T
DIS
V
IH
DI
V
IL
T
PD
尽诉
OH
（ READ ）V
OL
尽诉
OH
（ PROGRAM ）
V
OL
注意：
AC测试条件： V
IL
= 0.4V, V
IH
= 2.4V.
T
PD
T
CZ
T
DIH
T
CZ
T
SV
状态有效
DS21209C第4页
1998年Microchip的科技公司
MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
