24LC32
6.6
页面缓存和映射阵列
6.8
高速缓冲存储器是一个64字节（8页×8字节）的FIFO缓冲器。
高速缓存允许多达64字节的数据加载
写周期实际上开始之前，有效地亲
人们提供一个64字节的突发写入的最大总线速率。
每当启动一个写命令时，高速缓存
开始加载，并会继续加载，直到停止位
接收到启动内部写周期。总
在写周期的长度将取决于有多少
页被加载到高速缓存中之前，停止位为
给出。最大周期的每一页为5毫秒。连
如果仅部分地加载的页面，它仍然将需要
相同的周期时间作为一个完整的页面。如果多于64个字节的
数据加载停止位之前给出的地址
指针will'wrap围绕'到高速缓存的开头
0页并在高速缓存中已有的字节将被覆盖
10 。该设备不会响应任何命令
而在写周期正在进行中。
高速缓冲存储器写入起始于非页面
边界
6.7
高速缓存写在开始页面
边界
如果一个写命令开始在页边界
（地址位A2 ，A1和A0是零），则所有的数据
加载到高速缓存将被写入到所述阵列
连续的地址。这包括跨写作
4K的块边界。在下面的例子所示，
（图4-2）的写命令开始处开始
第3页中的字节0用满载的高速缓存（64字节） 。
在缓存中的第一个网络字节写入第3页的0字节
（数组的），并在高速缓存中的剩余页
写入到阵列中的连续页面。写周期
执行每个页面被写入之后。由于写
开始于第3页和第8页被加载到
高速缓存中，最后3页高速缓存的写入
阵列中的下一行。
当被启动的写命令不开始
在页边界（即地址位A2 ， A1和A0
不都是零） ，需要注意的是如何将数据是很重要
加载到高速缓存中，以及如何在高速缓存中的数据是
写入到阵列。当写命令开始时，将
加载到缓存连接第一个字节总是加载到
第0中的缓存页面0字节，其中
负载开始是由三个最显着的决定
地址位（A2 ，A1和A0 ），该被送往作为部分
写命令。如果写命令不开始
一个页面和缓存的0字节满载，则
最后一个字节（ S）加载到缓存将推出各地
高速缓存和连接LL剩余的空字节0页。
如果超过64字节的数据加载到高速缓存中，
已加载的数据将被覆盖。在该示例
如图7-2所示，一写命令已经initi-
ated开始在第3页的字节2中的阵列中的一个完全
64字节加载缓存。由于缓存负载启动
荷兰国际集团的字节2中，最后的两个字节加载到缓存
will'roll上方“和被装入前两个字节的
（缓存） 0页。当停止位被发送，网页
0的高速缓存的写入到所述阵列的第3页。该
在高速缓存中剩余的页面就会被装sequen-
tially到阵列。在每次写入周期执行
页被写入。如果在高速缓存中的部分加载的页面
仍当停止位被发送，只有字节
有被加载将被写入到所述阵列。
6.9
电源管理
该设计采用了功耗待机模式时，
该装置不使用时自动关闭电源
正常终止任何操作之后，当一个
收到停止位和所有内部功能的COM
完整的。这包括任何错误条件，即。不receiv-
荷兰国际集团每两线的确认或停止条件
巴士特定网络阳离子。该器件还集成了V
DD
监控电路，以防止意外写入（数据cor-
ruption ）可在低电压的条件。在V
DD
MONI-
器电路被断电时，该设备处于待机
在顺序模式，以进一步降低功耗。
2004年Microchip的科技公司
DS21072G第9页
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