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24LC256T-I/SN 参数 Datasheet PDF下载

24LC256T-I/SN图片预览
型号: 24LC256T-I/SN
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内容描述: 256K I2C CMOS串行EEPROM [256K I2C CMOS Serial EEPROM]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管双倍数据速率可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
文件页数/大小: 26 页 / 465 K
品牌: MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
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24AA256/24LC256/24FC256
256K我
2
C
CMOS串行EEPROM
器件选型表
部分
24AA256
24LC256
24FC256
注1 :
2:
V
CC
范围
1.8-5.5V
2.5-5.5V
1.8-5.5V
马克斯。时钟
频率
400千赫
(1)
400千赫
1兆赫
(2)
温度。
范围
I
I,E
I
描述:
Microchip Technology Inc.的24AA256 / 24LC256 /
24FC256 ( 24XX256 * )是一个32K ×8 ( 256千位)串行
电可擦除PROM ,能够运行
在较宽的电压范围( 1.8V至5.5V ) 。它有
已经开发了先进的低功率应用
如个人通信或数据采集。
该器件还具有高达64页写入功能
字节的数据。该器件能够进行随机的
而连续读取到256K边界。
功能性地址线允许多达八个装置
在同一总线上,多达2兆比特的地址空间。这
设备在标准的8引脚塑料DIP
SOIC , TSSOP , MSOP和DFN封装。
100千赫V
CC
& LT ; 2.5V 。
400千赫V
CC
& LT ; 2.5V 。
产品特点:
•低功耗CMOS技术:
- 最大写入电流的3毫安5.5V
- 最大读取电流400
μA
在5.5V
- 待机电流100 nA的典型电压为5.5V
• 2线串行接口总线,I
2
C
兼容
•可级联多达八个装置
•自定时擦/写周期
• 64字节页写模式下可用
• 5毫秒最大。写周期时间
•硬件写保护对整个阵列
•输出斜率控制以消除接地反弹
•施密特触发器输入以抑制噪声
•百万次擦/写
•静电放电保护> 4000V
•数据保留和GT ; 200年
• 8引脚PDIP , SOIC , TSSOP , MSOP和DFN
封装, 14引脚TSSOP封装
•提供无铅表面处理
•温度范围:
- 工业级(I ) :
-40 ° C至+ 85°C
- 汽车( E) :
-40°C至+ 125°C
框图
A0 A1A2 WP
高压发生器
I / O
控制
逻辑
内存
控制
逻辑
XDEC
EEPROM
ARRAY
页锁存器
I / O
SCL
YDEC
SDA
V
CC
V
SS
感测放大器。
R / W控制
封装类型
PDIP / SOIC
A0
A1
A2
V
SS
1
24XX256
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
WP
SCL
SDA
A0
A1
A2
V
SS
TSSOP / MSOP *
1
2
3
4
24XX256
8
7
6
5
V
CC
WP
SCL
SDA
A0
A1
A2
V
SS
1
2
3
4
24XX256
DFN
8 V
CC
7 WP
6 SCL
5 SDA
注意:
*引脚A0和A1没有连接的作用仅MSOP封装。
* 24XX256使用本文档中作为24AA256 / 24LC256 / 24FC256器件的通用零件编号。
©
2005年Microchip的科技公司
DS21203N第1页