IC PDF资料下载 IC datasheet大全、在线预览-芯三七

GRM1552C1H5R1DA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]

医疗医疗器械

0 MURATA

GRM155R60J184ME01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]

医疗医疗器械

0 MURATA

GQM2195G2H2R1BB12#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]

医疗医疗器械

0 MURATA

FFSP2065BDN-F085

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20A, 650V, D2, TO-220-3L

二极管

1 ONSEMI

作为功率因数矫正转换器(Power Factor Correction: PFC)＋准谐振(Quasi-Resonant: QR)DC/DC转换器的多转换器IC，BM1C102F为所有带插座的产品提供优良的系统。本产品内置650V耐压启动电路／X-Cap放电功能，有助于实现低待机功耗。PFC部采用电压控制方式的临界模式（BCM），可通过Zero Current Detection（ZCD）降低开关损耗和噪声。通过电阻进行零电流检测，因此无需ZCD用辅助绕组，可减少偏置部电路的零件数量，降低损耗。DCDC部采用准谐振方式。此方式实现了软开关，有助于实现低EMI。外接开关MOSFET及电流检测电阻，可实现自由度高的电源设计。轻负载时通过启动脉冲串功能提高效率。内置双系统PFC输出过电压保护功能。内置任意负载的PFC ON/OFF功能，可降低待机功耗。内置丰富的保护功能（VCC过电压保护、外部锁存保护、掉电保护、软启动功能、逐周期过电流限制、过负荷保护等）。

开关软启动脉冲功率因数校正插座转换器

0 ROHM

NVHL082N65S3HF

Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET® III, FRFET®, 650 V , 40 A, 82 mΩ, TO-247 fast recovery

暂无信息

1 ONSEMI

IMW65R039M1H

CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。IMW65R039M1H 650V CoolSiC™ MOSFET 基于先进的沟槽半导体技术，并经过优化，在毫不折衷的情况下，在应用中实现最低损耗，并在运行中实现最佳可靠性。此 SiC MOSFET 采用 TO247 3 引脚封装，以提供经济高效的性能。

半导体

0 INFINEON