ML6696
AC电气特性
符号
参数
MII管理接口
（ MDC ， MDIO ）
t
SPWS
t
SPWH
t
标准项目
t
SPRH
t
CPER
t
CPW
写建立时间， MDIO数据有效
到MDC上升沿（ 1.4V点）
写保持时间， MDIO数据有效
MDC上升沿之后（ 1.4V点）
阅读设置时间， MDIO数据有效
到MDC上升沿（ 1.4V点）
阅读保持时间， MDIO数据有效
MDC上升沿之后（ 1.4V点）
MDC期
MDC的脉冲宽度
正或负脉冲
10
10
100
0
400
160
ns
ns
ns
ns
ns
ns
（续）
条件
民
典型值
最大
单位
EEPROM接口
（ ECLK ， EDIN ， EDOUT ）
t
PW1
t
PW2
t
PER1
t
DV1
t
PER2
t
PW3
t
PW4
t
S1
t
H1
ECLK正脉宽
ECLK负脉宽
ECLK期
EDOUT数据有效时间
ECLK上升沿之后
ECLK期
ECLK正脉宽
ECLK负脉宽
ECLK数据建立时间
ECLK数据保持时间
EDIN浮动（ EEPROM模式）
EDIN浮动（ EEPROM模式）
EDIN浮动（ EEPROM模式）
EDIN浮动（ EEPROM模式）
EDIN高（单片机模式）
EDIN高（单片机模式）
EDIN高（单片机模式）
EDIN高（单片机模式）
EDIN高（单片机模式）
5000
2000
2000
10
10
900
900
1800
900
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注1 ：
限制是由100％的测试，取样，或者相关性与最坏情况下的测试条件的保证。
注2 ：
从TXCLK的TXEN后第一个上升沿变高，到J的在MDI第一位。
注3 ：
从歼在MDI第一位，到CRS 。
注4 ：
从歼在MDI第一位，先上升RXCLK边缘后RXDV变高。
注5 ：
测量的时间之间的TXD0-3过渡的上方或下方区域的0.8V - 2.0V ，而TXCLK上升到高于0.8V的时间。
注6 ：
测量的时间之间的RXD0-3过渡的上方或下方区域的0.8V - 2.0V ，而RXCLK上升到高于0.8V的时间。
注7 ：
使用一个15pF的负载接地测量。
8
MICRO-LINEAR [ MICRO LINEAR CORPORATION ]
