欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
会员中心
企业资讯   人才招聘  
电子百科

电子百科

Datasheet下载 IC品牌 缩略语 技术文章 IC型号

产品导航

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
PDF
  • 产品
  • PDF

    • 最近搜索

    热门搜索

    搜索
    发布采购

    ML4895 参数 Datasheet PDF下载

    ML4895图片预览
    型号： ML4895
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 同步降压控制器 [Synchronous Buck Controller]
    分类和应用： 控制器
    文件页数/大小： 10 页 / 219 K
    品牌： MICRO-LINEAR [ MICRO LINEAR CORPORATION ]
     浏览型号ML4895的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ML4895的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ML4895的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ML4895的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ML4895的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ML4895的Datasheet PDF文件第8页浏览型号ML4895的Datasheet PDF文件第9页浏览型号ML4895的Datasheet PDF文件第10页  
    ML4895
    I
    L
    V
    IN =
    V
    OUT
    L
    V
    OUT
    L
    I
    LPK
    ∆I
    L
    I
    SENSE
    =
    I
    OUT
    = I
    SENSE
    + 1/2
    ∆I
    L
    V
    SENSE
    R
    SENSE
    T
    ON
    T
    关闭
    t
    图5.降压稳压器的电感电流
    对于运行可靠，电感电流额定值应
    超过10％-20 ％，计算出的值。
    对于未来的参考，确定峰值电感电流
    在最小输入电压：
    I
    L（ PEAK （ MIN ） ）
    =
    I
    SENSE （ MIN ）
    + ∆
    I
    L（ MIN）的
    I
    L
    c
    PEAK
    a
    民
    fh
    =
    I
    L
    c
    PEAK
    a
    民
    fh
    =
    V
    SENSE
    a
    民
    f
    R
    SENSE
    + ∆
    I
    L
    a
    民
    f
    (8)
    导通电阻 - 栅极电荷乘积提供了良好的
    品质因数通过它来比较不同的MOSFET ，
    图越低越好。内部栅极驱动器
    该ML4895可带动总栅极电荷超过100nC ，
    但是60nC到70nC是一个更加实际的限制，以确保良好
    开关时间。
    漏极 - 源极击穿电压等级，确定
    由输入电压。对于输入电压高达10V，漏极
    20V的源度是可以接受的。对于输入电压
    高达15V，漏极至30V的源等级是
    推荐使用。对于一个更可靠的设计，寻找
    的MOSFET被雪崩额定值。
    在高电流应用中， MOSFET的功率
    散热往往成为一个主要的设计因素。在我
    2
    R
    损失产生的热量在MOSFET的最大部分
    封装。确保MOSFET是在其
    在最高环境额定结温
    温度通过使用计算的温度上升
    热电阻的规格。
    2
    0.06V
    + ∆
    I
    L
    a
    民
    f
    R
    SENSE
    现在感测电阻器的额定功率可以被确定。
    感测电阻器必须能够承载的峰值电流
    在过程中，停止时间的电感器：
    P
    R
    SENSE
    =
    I
    均方根（OFF） 2
    ×
    R
    SENSE
    其中：
    I
    均方根（OFF）的
    =
    1
    −
    2
    (9)
    FG
    H
    V
    OUT
    V
    IN （MAX）
    IJ
    K
    ×
    I
    SENSE （ MAX）
    +
    I
    SENSE （ MAX）
    ×
    I
    L（ PEAK （MAX））
    +
    I
    L（ PEAK （MAX））
    2
    3
    最坏情况下的功耗为P型MOS开关
    发生在最小输入电压和判定
    如下：
    应指定的最后一个参数是
    绕组电感的电阻。在一般情况下，该
    绕组电阻应尽可能地低，
    优选在低毫欧的范围。因为将电感器是在
    与负载串联，在任何时候，铜的损失可以是
    近似为：
    P
    Cu
    =
    I
    输出2
    ×
    R
    L
    一个好的经验法则是让2 mΩ的绕组
    每个电阻
    µH
    电感。
    MOSFET选择
    开关MOSFET必须与逻辑电平类型
    在V中指定的导通电阻
    GS
    = 4.5V一般来说，
    .
    (10)
    P
    P
    −
    MOS
    =
    I
    均方根（ON） 2
    ×
    R
    DS （ ON）
    其中：
    I
    RM S（ ON）的
    2
    (11)
    +
    I
    SE化酶（MAX）
    ×
    I
    L（ PEAK （MAX））
    +
    I
    L（ PEAK （MAX））
    3
    2
    =
    FG
    H
    V
    OUT
    V
    IN （MAX）
    IJ
    K
    ×
    I
    SE化酶（MAX）
    2
    最坏情况下的功耗为N型MOS开关
    出现在最大输入电压，则确定
    使用：
    P
    N
    −
    MOS
    =
    I
    均方根（OFF） 2
    ×
    R
    DS （ ON）
    (12)
    7

    IC37:专业IC行业平台

    专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

    网站导航 Datasheet资料库 电子术语 电子百科
    服务中心 常见问题 委托交易 会员服务
    关于我们 公司简介 联系我们 免责申明

    产品索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

    深圳网络警察报警平台 公共信息安全网络监察 经营性网站备案信息 不良信息举报中心 工商网监电子标识 全国公安机关备案
    服务电话： 0755-32882616 0755-32882606 0755-32882608 0755-32882607 值班和投诉电话：13715251531 ©2004-2024 IC37网 版权所有：ic37.com 版权申明 公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6