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型号: ML4813IP
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内容描述: 反激式功率因数控制器 [Flyback Power Factor Controller]
分类和应用: 光电二极管控制器
文件页数/大小: 15 页 / 267 K
品牌: MICRO-LINEAR [ MICRO LINEAR CORPORATION ]
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ML4813
应用
(续)
需要注意的是V
IN
( Q) - V
P
X罪( q)的和使V
P
= 1.414 x垂直
RMS
.
输入三角波电流的平均值是:
I
AVG
q =
05
t
ON
™
I
P
™
q
2T
(7)
几个核心材料是考生的电感,
如粉末铁,气隙铁氧体,钼坡莫合金等。
有除上所述电感器,没有特别限制
该电感是正确的值,并且该损失是
可以接受的。
输入旁路电容
三角形高频电流通过一个旁路
输入电容(C
IN
) 。这应该是一个高质量的薄膜
电容与最小损失和低ESR值
暖气。聚酯,聚丙烯或X型(对线侧)
是很好的候选。典型的值,这取决于
功率电平,范围可以从任何地方330nF至1.5μF 。
射频干扰滤波器的滤波下一阶段有一个电感器
输入隔离ç
IN
从另一个电容,
可以存在于所述输入电路。需要注意的是Ç
IN
可以
在整流桥的两侧。首选
位置低的交越失真是在输入侧。
该电容两端的纹波电压为:
V
C
0
P
-
P
5
=
在那里我
AVG
是开关电流的平均值(该
当前的调节器之后的输入值
过滤) ,而T是开关周期的周期。
替代( 6 )代入式( 7 )可得:
I
AVG
q =
05
L
™
I
P 2
™
q
2828
™
T
™
V
RMS
.
(8)
式(8)清楚地表明的平均值
开关电流为正弦波且同相的输入
电压。平均电流的峰值是:
I
AVG (PEAK)
另外:
I
AVG (PEAK)
=
2
™
P
IN
V
RMS
(10)
L
™
I
P 2
=
™
q
2828
™
T
™
V
RMS
.
(9)

D
™

C
™
f
IN
P
IN
2P
IN
-
L
™
f
C
IN
™
f
™
V
IN


(14)
重新排列方程(9)和(10)来求解P
IN
收益率:
L
™
I
P 2
™
f
P
IN
=
4
(11)
其中,V
C( P- P)
是的峰峰值最坏的情况下高
频率电容器电压,以及D是开关占空比
周期。该RFI滤波器,如下:C
IN
具有能够
衰减V
C( P- P)
到由相关设置的级别
监管规范。
输入瞬态过电压保护
电源电路的仔细检查发现,
没有大的电容在稳压器的输入端。
唯一的电容是目前的RFI滤波器
电容器。这些电容器具有在所述组合的明度
且具有几个微法,其吸收能力和
尽量减少线路引起的瞬变几乎
不存在的。也可以突加负载下出现的瞬态
删除。如果线路阻抗电感,危险
漏极 - 源极电压可以产生导致
破坏了功率MOSFET的。为了防止这种情况的
发生的事情,瞬态过电压保护装置
应安装,使得足够的安全裕度是
允许的功率MOSFET。一个好的经验法则是:
BV
DSS
& GT ;
V
+
V
OUT ( OVP )
为了获得最佳性能和最低的电感峰值
电流,电感器电流应该在的边缘
在最低工作电压点与在满连续性
负载。这是否满足:
I
P
ˆ
V
IN
™
V
OUT
f
™
L
™
V
IN
+
V
OUT
1
6
(12)
最后, (11)和(12)可被组合以推导出的上
绑定的电感值,该值将保证
监管机构始终保持在断续模式
操作。如果调节器是在操作
连续模式的平均输入电流不会
正弦曲线。

V
™
V
L
ˆ
!
2 f
™
P
™
1
V
IN
IN
OUT
IN
+
V
OUT
" #
6 #$
2
(15)
(13)
回扫电感器计算
等式(13)给出的上限为电感
值的任何集合的指定的运行条件。
通常情况下,可能需要最终确定了几个迭代
的值来校正第二或第三阶效应。这
意味着,对于电感器的良好的初始值是
比计算出的值的情况下可能是10 %至20%
在右手侧的表达式( 13)。
其中, BV
DSS
是漏极 - 源极击穿电压为
该MOSFET ,V
是激活或钳位电压
的过电压的瞬态保护,和V的
OUT ( OVP )
is
的最大输出电压,该电压是由OVP设置
功能的控制器。
输出电路
该输出电路为这个拓扑中,虽然非
孤立的,不与功率共享同一地
电路。因此,连接两个理由与
应避免仪器测量导线。
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