ML4775
输出电容
输出电容的选择也很重要，因为它
控制输出纹波和优化的效率
的电路。输出纹波是由三个影响
电容参数：容量， ESR ， ESL和。该
由于电容的贡献可由下式确定
在寻找所需的电容器电压的变化
存储由电感器在一个单一的传递的能量
充电 - 放电循环，如由下式确定
公式：
T
ON
×
V
IN
∆V
OUT
=
2
×
L
×
C
×
(V
OUT
−
V
IN
)
2
2
再次，低ESR电容（如钽）是
推荐使用。
驱动SHDN输入
不像使用其它外接升压型稳压器
肖特基二极管，所述ML4775具有分离能力
从电池输入负载时， SHDN引脚
高。因为有可能是没有其他可用的电压
当调节器处于关断时， SHDN输入
阈值设定低于最小V
IN
电压。
SHDN可以直接驱动，从集电极开路
装置具有高值的上拉电阻到V
IN
。如果SHDN
从TTL或CMOS输出装置，电阻器从动
除法应该用来防止SHDN输入高
超出V电平
IN
并确保SHDN输入
低电平低于200mV的阈值。
设置输出电压
输出可调可设定之间的任何电压
2.5V和5.5V通过连接一个电阻分压器，所述
SENSE引脚的框图如图所示。电阻
值R
1
和R
2
可以用下面的计算
公式：
V
OUT
=
0.2
×
(R
1
+
R
2
)
R
2
(4)
对于2.4V的输入和5V输出，一个27μH电感和
一个47μF的电容，预期输出纹波因
电容值为87mV 。
电容器的等效串联电阻（ESR）和
等效串联电感（ESL） ，也有助于
输出纹波由于电感放电电流
波形。 NMOS晶体管导通刚过断，
输出电流斜坡快速匹配电感峰值
电流。通过输出电流这个快速变化
电容的ESL导致高频率（为5ns ）尖峰
可以超过1V的幅度。之后， ESL秒杀平息，
输出电压仍具有脉动分量等于
在电感放电电流倍的ESR。这
组件将具有锯齿形状和峰值
等于峰值电感电流乘以ESR 。 ESR
还具有有助于对效率有负面影响
放电循环过程中我平方ř损失。
输出电容器与100μF ，一个的电容
ESR of less than 0.1�½, and an ESL of less than 5nH is a
良好的通用选择。钽电容
这满足这些要求，可以从得到
下面的供应商：
松尾
斯普拉格
(714) 969-2491
(603) 224-1961
(5)
R的值
2
should be 40k�½ or less to minimize bias
当前错误。 ř
1
然后，通过重新排列发现
公式：
V
R
1
=
R
2
×
OUT
−
1
0.2
(6)
要注意的是很重要的，这些电阻的精度
直接影响输出电压的精度。该
检测引脚阈值变化为±3 ％，并且
的R公差
1
和R
2
将添加到该确定
总产出的变化。
在某些应用中，输入噪声可能会导致输出
纹波过大，由于“群脉冲”
其中充电 - 放电脉冲是不均匀
间的时间间隔。在这种情况下，可能有必要增加
小20pF的到100pF的陶瓷电容前馈
(C
FF
）从V
IN
引脚和SENSE引脚。
如果ESL尖峰造成的输出噪声问题，一个EMI
滤波器可以串联在输出被添加。
输入电容
除非输入源是一个非常低的阻抗的电池，
这将是必要的去耦的输入与
电容器用47μF和100μF之间的值。这
提供从防止输入纹波的好处
影响ML4775控制电路，并且它也
通过减少I-平方ř损失提高效率
在电感器的充电和放电周期。
布局
良好的PCB布局，就可以确保正确的
所述ML4775的操作。重要布局
考虑因素包括：
•使用适当的接地和电源走线或面
•保持元件尽可能接近的ML4775
•使用短的走线长度的电感器与V
L
针
并从输出电容与V
OUT
针
•采用单点接地的ML4775地
销，以及输入和输出电容器
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MICRO-LINEAR [ MICRO LINEAR CORPORATION ]
