ML2008 ， ML2009
所需的增益设置。寄存器之间的关系
0和1位，并且相应的模拟增益值是
在表1和2所示。注意， C3- C0选择
粗增益， F3- F0选择精细增益和安泰信/ GAIN
选择相应的增益或衰减。
1.3输出缓冲器
最后的模拟阶段是输出缓冲区。该放大器
有1个内部增益和用于驱动600Ω ，
100pF的负载。因此，它适用于驱动一电话
直接混合电路，无需任何外部放大器呃。
1.4电源
数字部分V的电
CC
和GND
或5V 。模拟部分是V的供电
CC
和
V
SS
并使用AGND作为基准点，或
±5V.
GND和AGND设备里面是完全隔离
从数字部分到模拟最小化耦合
部分。通常，这是小于100μV 。然而， AGND
和GND应该进行物理连接在一起附近
设备和理想地接近公共供电
接地连接。
典型地，V的电源抑制
CC
和V
SS
到模拟输出大于-60dB ，在1kHz 。如果
电源的去耦，仍然需要在一个
系统，V
CC
和V
SS
应该用尊重去耦
到AGND 。
表1.精细增益设置（ C3 - C0 = 0 ）
F3
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
F2
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
F1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
F0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
理想的增益（ dB）的
安泰信/ GAIN = 1安泰信/ GAIN = 0
0.0
–0.1
–0.2
–0.3
–0.4
–0.5
–0.6
–0.7
–0.8
–0.9
–1.0
–1.1
–1.2
–1.3
–1.4
–1.5
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
表2.粗增益设置（ F3 - F0 = 0 ）
C3
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
C2
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
C1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
C0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
理想的增益（ dB）的
安泰信/ GAIN = 1安泰信/ GAIN = 0
0.0
–1.5
–3.0
–4.5
–6.0
–7.5
–9.0
–10.5
–12.0
–13.5
–15.0
–16.5
–18.0
–19.5
–21.0
–22.5
0.0
1.5
3.0
4.5
6.0
7.5
9.0
10.5
12.0
13.5
15.0
16.5
18.0
19.5
21.0
22.5
2.0数字接口
数字部分的结构示于
图中黑色的前面。
的数据寄存器或锁存器的结构示于
图10和图11为ML2008与ML2009 ，
分别。该寄存器控制衰减/增益
设置位，并与ML2008掉电位。
表1和2描述了如何将数据字的程序的
获得。
的ML2008和ML2009之间的区别是，在
注册结构。所述ML2008是一个8位的数据总线
版本。这个设备具有一个8位寄存器，和一个2位的
寄存器来存储9增益设置位和1个断电
位。两次写操作是计划的全部必要
10个数据位从8外部数据引脚。地址引脚
该寄存器A0控制被写入。该
断电位， PDN ，导致器件被放置在
断电。当PDN = 1 ，则器件上电
下来。在这种状态下，功率消耗降低
从模拟部分的电源并迫使
模拟量输出， V
OUT
到一个高阻抗状态。而
设备处于断电，所述数字部分仍
功能和当前数据字仍存储在
寄存器。当PDN = 0时，设备处于正常工作状态。
所述ML2009是一个9位的数据总线的版本。此设备具有
一个9位寄存器来存储9增益设置位。全部9
数据位可以与一个写操作进行编程
从9个外部数据引脚。
内部寄存器或锁存器是边沿触发。该
数据从外部管脚传送到寄存器
输出上的上升沿
WR 。
地址引脚A0，
该寄存器中的数据控件将被写入为
在图1和图2所示
CS
控制信号选择
该设备通过使
WR
信号中的数据锁存
只有当
CS
是低的。当
CS
高，
WR
被抑制
来自新数据锁存于到寄存器。
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MICRO-LINEAR [ MICRO LINEAR CORPORATION ]
