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FQA28N15

功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,150V,33A,90mΩ,TO-3P
局域网开关脉冲晶体管
1 ONSEMI

GRM31CB31C226ME15#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM033R71H471MA12#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

IPB65R660CFDA

650V CoolMOS™ CFDA 超结 (SJ) MOSFET 是英飞凌第二代市场领先汽车应用高压 CoolMOS™ 功率 MOSFET。650V CoolMOS™ CFDA 系列产品不仅满足汽车行业的高质量和高可靠性要求,还集成快速体二极管。
高压开关脉冲晶体管二极管
0 INFINEON

NSR15406NXT5G

肖特基势垒二极管,1.5 A,40 V
二极管
0 ONSEMI

IRF7815

150V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装
暂无信息
0 INFINEON

GRM155B10J104KA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM2165C1H152JA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

NFAL7565L4BT

Intelligent Power Module, SPM49, 650 V, 75A (NTC option)
电动机控制
0 ONSEMI

BSZ063N04LS6

The OptiMOS™ 6 power MOSFET 40V family is optimized for a variety of applications and circuits, such as synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) in servers, desktop PCs, wireless chargers, quick chargers and ORing circuits. Improvements in on-state resistance (RDS(on)) and figure of merits (FOM - RDS(on) x Qg and Qgd) enable designers to increase efficiency, allowing easier thermal design and less paralleling, leading to system cost reduction.
PC
0 INFINEON

GRM1555C1E130GA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM216B11H822KA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

FDBL86062-F085

N沟道,PowerTrench®MOSFET,100V,300A,2.0mΩ
暂无信息
0 ONSEMI

NGTB50N120FL2WAG

IGBT, 1200 V Field Stop II, 50 A
双极性晶体管
0 ONSEMI

BZX84C11VLYFH

BZX84C11VLYFH是适用于恒定电压控制用途的齐纳二极管。采用非常普遍的SOT-23封装,容易进行设计。是符合AEC-Q101标准的高可靠性产品。
二极管齐纳二极管
0 ROHM