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MX29LV400BXBI-70 参数 Datasheet PDF下载

MX29LV400BXBI-70图片预览
型号: MX29LV400BXBI-70
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内容描述: 4M- BIT [ 512K ×8 / 256K ×16 ]的CMOS单电压3V仅限于Flash存储器 [4M-BIT [512K x 8 / 256K x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY]
分类和应用: 存储
文件页数/大小: 59 页 / 1217 K
品牌: Macronix [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
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MX29LV400T/B  
Table 15. ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE(1)  
LIMITS  
TYP.(2)  
PARAMETER  
MIN.  
MAX.(3)  
UNITS  
Sector Erase Time  
0.7  
11  
9
15  
sec  
sec  
Chip Erase Time  
Byte Programming Time  
Word Programming Time  
Chip Programming Time  
300  
360  
13.5  
9
us  
11  
4.5  
3
us  
Byte Mode  
Word Mode  
sec  
sec  
Erase/Program Cycles  
100,000  
Cycles  
Note: 1.Not 100% Tested, Excludes external system level over head.  
2.Typical values measured at 25°C, 3V.  
3.Maximum values measured at 25°C, 2.7V.  
Table 16. LATCHUP CHARACTERISTICS  
MIN.  
-1.0V  
MAX.  
Input Voltage with respect to GND on all pins except I/O pins  
Input Voltage with respect to GND on all I/O pins  
Current  
12.5V  
Vcc + 1.0V  
+100mA  
-1.0V  
-100mA  
Includes all pins except Vcc. Test conditions: Vcc = 3.0V, one pin at a time.  
P/N:PM0710  
REV. 1.4, NOV. 23, 2001  
51  
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