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TIP122 参数 Datasheet PDF下载

TIP122图片预览
型号: TIP122
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN Silicon Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 2 页 / 401 K
品牌: MCC [ Micro Commercial Components ]
 浏览型号TIP122的Datasheet PDF文件第2页  
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736
玛丽拉
街道查茨沃斯

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TIP122
特点
无铅涂层/符合RoHS (注1 ) ( "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息)
达林顿配置在JEDEC的TO -220封装
互补PNP类型是TIP127分别。
NPN硅
晶体管
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
水分动态敏感度等级1
最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
J
T
英镑
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
等级
100
100
5.0
8.0
5.0
65
-55到+150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
O
C
O
C
B
F
TO-220
C
S
Q
T
A
U
1 2
H
3
电气特性@ 25
O
C除非另有说明
符号
参数
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 30mAdc ,我
B
=0)
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
=100Vdc,I
E
=0)
发射基截止电流
(V
EB
= 5.0VDC ,我
C
=0)
集电极 - 发射极截止电流
(V
CE
= 50V直流,我
B
=0)
正向电流传输比
(I
C
= 0.5Adc ,V
CE
=3.0Vdc)
正向电流传输比
(I
C
= 3.0Adc ,V
CE
=3.0Vdc)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 3.0Adc ,我
B
=12mAdc)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 5.0Adc ,我
B
=20mAdc)
基射极饱和电压
(I
C
= 3.0Adc ,V
CE
=3.0Adc)
100
---
---
---
最大
---
0.2
2.0
0.5
单位
VDC
K
开关特性
V
( BR ) CEO
I
CBO
I
EBO
I
首席执行官
L
V
D
G
N
尺寸
英寸
MM
最大
最大
.560
.625
14.22
15.88
.380
.420
9.65
10.67
.140
.190
3.56
4.82
.020
.139
.190
---
.012
.500
.045
.190
.100
.080
.045
.230
-----
.045
.045
.161
.110
.250
.025
.580
.060
.210
.135
.115
.055
.270
.050
-----
0.51
3.53
2.29
---
0.30
12.70
1.14
4.83
2.54
2.04
1.14
5.84
-----
1.15
1.14
4.09
2.79
6.35
0.64
14.73
1.52
5.33
3.43
2.92
1.39
6.86
1.27
-----
J
R
MADC
MADC
MADC
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
基本特征
h
FE-1
h
FE-2
V
CE(sat)-1
V
CE(sat)-2
V
BE ( SAT )
1000
1000
---
---
---
---
---
2.0
4.0
2.5
VDC
VDC
VDC
注意事项: 1。高低温焊料豁免应用,见欧盟指令附件7 。
修订版:A
www.mccsemi.com
1 2
2011/01/01