MCC
特点
•
•
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
MMBTA42
表面贴装SOT- 23封装
能功率耗散300mWatts的
C
引脚配置
顶视图
NPN硅高
电压晶体管
SOT-23
A
D
1D
B
E
民
300
300
6.0
0.1
0.1
最大
单位
VDC
VDC
VDC
uAdc
uAdc
G
H
J
F
E
C
B
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
符号
参数
集电极 - 发射极击穿电压*
(I
C
= 1.0mAdc ，我
B
=0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 100μAdc ，我
E
=0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 100μAdc ，我
C
=0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 200V直流，我
E
=0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 6.0VDC ，我
C
=0)
直流电流增益*
(I
C
= 1.0mAdc ，V
CE
=10Vdc)
(I
C
= 10mAdc ，V
CE
=10Vdc)
(I
C
= 30mAdc ，V
CE
=10Vdc)
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 20mAdc的，我
B
=2.0mAdc)
基射极饱和电压
(I
C
= 20mAdc的，我
B
=2.0mAdc)
25
40
40
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
基本特征
h
FE
K
尺寸
----
0.5
VDC
V
BE （ SAT ）
0.9
VDC
小信号特性
f
T
C
cb
电流增益带宽积
(I
C
= 10mAdc ，V
CE
= 20VDC ， F = 100MHz时）
集电极 - 发射极电容
(V
CB
= 20Vdec ，我
E
= 0 ， F = 1.0MHz的）
50
3.0
兆赫
pF
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
英寸
民
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
最大
.120
.098
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
MM
民
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
最大
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
记
建议焊料
焊盘布局
.031
.800
.035
.900
.079
2.000
英寸
mm
热特性
特征
器件总功耗FR - 5局，
(1)
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板，
(2)
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
*脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2.0%
符号
P
D
最大
225
1.8
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
qJA
P
D
556
300
2.4
.037
.950
.037
.950
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55到+150
www.mccsemi.com
MCC [ Micro Commercial Components ]
