MCC
TM
微型商业组件
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯
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MMBT2222A
特点
•
•
•
•
•
•
表面贴装SOT- 23封装
能功率耗散350mWatts ,我
C
=600mA
操作
和存储
结点温度: -55 ° C至+ 150°C
热阻,结到环境: 500
o
C / W
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
湿度敏感度等级1
标记: 1P
无铅涂层/符合RoHS ( "P"Suffix指定标准)
NPN通用
用途放大器
SOT-23
A
D
•
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
符号
参数
集电极 - 发射极击穿电压*
(I
C
= 10mAdc ,我
B
=0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10μAdc ,我
E
=0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10μAdc ,我
C
=0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 60V直流,V
BE
=3.0Vdc)
民
40
75
6.0
10
最大
单位
VDC
VDC
VDC
F
E
开关特性
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CEX
C
B
C
B
E
NADC
基本特征
h
FE
直流电流增益*
(I
C
= 0.1mAdc ,V
CE
=10Vdc)
(I
C
= 1.0mAdc ,V
CE
=10Vdc)
(I
C
= 10mAdc ,V
CE
=10Vdc)
(I
C
= 150mAdc ,V
CE
=10Vdc)
(I
C
= 150mAdc ,V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
= 500mAdc ,V
CE
=10Vdc)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 150mAdc ,我
B
=15mAdc)
(I
C
= 500mAdc ,我
B
=50mAdc)
基射极饱和电压
(I
C
= 150mAdc ,我
B
=15mAdc)
(I
C
= 500mAdc ,我
B
=50mAdc)
35
50
75
100
50
40
G
H
J
K
尺寸
300
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
V
CE ( SAT )
0.3
1.0
0.6
1.2
2.0
VDC
V
BE ( SAT )
VDC
英寸
民
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
最大
.120
.098
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
MM
民
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
最大
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
记
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
NF
电流增益带宽积
(I
C
= 20mAdc的,V
CE
= 20VDC , F = 100MHz时)
输出电容
(V
CB
= 10Vdec ,我
E
= 0 , F = 1.0MHz的)
输入电容
(V
BE
= 0.5VDC ,我
C
= 0 , F = 1.0MHz的)
噪声系数
(I
C
= 100μAdc ,V
CE
= 10V直流,R
S
=1.0kΩ
f=1.0kHz)
延迟时间
(V
CC
= 30V直流,V
BE
=0.5Vdc
上升时间
I
C
= 150mAdc ,我
B1
=15mAdc)
贮存时间
(V
CC
= 30V直流,我
C
=150mAdc
下降时间
I
B1
=I
B2
=15mAdc)
≤
300μS ,占空比
≤
2.0%
300
8.0
25
4.0
兆赫
pF
pF
dB
.035
.900
建议焊料
焊盘布局
.031
.800
.079
2.000
英寸
mm
开关特性
t
d
t
r
t
s
t
f
*脉冲宽度
10
25
225
60
ns
ns
ns
ns
.037
.950
.037
.950
www.mccsemi.com
修订版:A
1 4
2011/01/01