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    BC857B 参数 Datasheet PDF下载

    BC857B图片预览
    型号： BC857B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP小信号Transistor310mW [PNP Small Signal Transistor310mW]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 3 页 / 97 K
    品牌： MCC [ Micro Commercial Components ]
     浏览型号BC857B的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BC857B的Datasheet PDF文件第3页  
    BC856A通BC858C
    电气特性
    特征
    集电极 - 基极击穿电压（注3 ）
    BC856
    BC857
    BC858
    BC856
    BC857
    BC858
    @ T
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    民
    -80
    -50
    -30
    -65
    -45
    -30
    -5
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    125
    220
    420
    —
    —
    —
    —
    —
    -600
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    100
    —
    —
    典型值
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    200
    330
    600
    2.7
    4.5
    8.7
    18
    30
    60
    1.5x10
    -4
    2x10
    -4
    3x10
    -4
    180
    290
    520
    —
    —
    -75
    -250
    -700
    -850
    -650
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    200
    3
    2
    最大
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    250
    475
    800
    320
    400
    -300
    -650
    —
    -750
    -820
    -15
    -15
    -15
    -15
    -4.0
    —
    —
    10
    单位
    V
    MCC
    TM
    微型商业组件
    测试条件
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    = 0
    集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    h
    fe
    h
    fe
    h
    fe
    h
    ie
    h
    ie
    h
    ie
    h
    oe
    h
    oe
    h
    oe
    h
    re
    h
    re
    h
    re
    h
    FE
    R
    qJSB
    R
    qJA
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    V
    V
    —
    —
    —
    kW
    kW
    kW
    µS
    µS
    µS
    —
    —
    —
    —
    ° C / W
    ° C / W
    mV
    mV
    mV
    nA
    nA
    nA
    nA
    µA
    兆赫
    pF
    dB
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    = 0
    I
    E
    = 1mA时，我
    C
    = 0
    发射极 - 基极击穿电压（注3 ）
    H-参数
    小信号电流增益
    输入阻抗
    输出导纳
    反向电压传输比
    电流增益A组
    B
    C
    电流增益A组
    B
    C
    电流增益A组
    B
    C
    电流增益A组
    B
    C
    电流增益A组
    B
    C
    V
    CE
    = -5.0V ，我
    C
    = -2.0mA ，
    F = 1.0kHz
    DC电流增益（注3）
    V
    CE
    = -5.0V ，我
    C
    = -2.0mA
    注1
    注1
    I
    C
    = -10mA ，我
    B
    = -0.5mA
    I
    C
    = -100mA ，我
    B
    = -5.0mA
    I
    C
    = -10mA ，我
    B
    = -0.5mA
    I
    C
    = -100mA ，我
    B
    = -5.0mA
    V
    CE
    = -5.0V ，我
    C
    = -2.0mA
    V
    CE
    = -5.0V ，我
    C
    = -10mA
    V
    CE
    = -80V
    V
    CE
    = -50V
    V
    CE
    = -30V
    V
    CB
    = -30V
    V
    CB
    = -30V ，T
    A
    = 150°C
    V
    CE
    = -5.0V ，我
    C
    = -10mA ，
    F = 100MHz的
    V
    CB
    = -10V ， F = 1.0MHz的
    V
    CE
    = -5.0V ，我
    C
    = 200µA,
    R
    S
    = 2千瓦， F = 1kHz时，
    Df
    = 200Hz的
    热阻，结到衬底背面
    热阻，结到环境
    集电极 - 发射极饱和电压（注3 ）
    基射极饱和电压（注3 ）
    基射极电压（注3 ）
    集电极截止电流（注3 ）
    BC856
    BC857
    BC858
    I
    CES
    I
    CES
    I
    CES
    I
    CBO
    I
    CBO
    f
    T
    C
    CBO
    NF
    增益带宽积
    集电极 - 基极电容
    噪声系数
    注意事项：
    1.包装安装在陶瓷基板0.7毫米X 2.5厘米
    2
    区。
    2.电流增益小组“C”不适用于BC856 。
    3.短持续时间脉冲测试，以尽量减少自热效应。
    www.mccsemi.com
    修改： 5
    2 3
    2008/01/01

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