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型号: BC847BS
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内容描述: 双NPN小信号晶体管300mW的 [Dual NPN Small Signal Transistor 300mW]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 222 K
品牌: MCC [ Micro Commercial Components ]
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BC847BS
V
CESAT
- 集电极 - 发射极电压( V)
MCC
TM
微型商业组件
h
FE
- 典型的脉冲电流增益
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
1200
1000
800
600
25 °C
125 °C
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
0.3
0.25
0.2
125 °C
V
CE
= 5.0 V
β
= 10
0.15
0.1
0.05
0.1
25 °C
- 40 °C
400
- 40 °C
200
0
0.01 0.03
0.1 0.3
1
3
10
30
I
C
- 集电极电流(毫安)
100
1
10
I
C
- 集电极电流(毫安)
100
V
BESAT
- 集电极 - 发射极电压( V)
1
- 40 °C
V
BEON
- 基极发射极电压( V)
基射极饱和
电压Vs集电极电流
基射极电压ON VS
集电极电流
1
0.8
0.6
125 °C
- 40 °C
25 °C
0.8
0.6
0.4
0.2
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流(毫安)
100
25 °C
125 °C
β
= 10
0.4
V
CE
= 5.0 V
0.2
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流(毫安)
40
集电极截止电流
VS环境温度
I
CBO
- COLLE CTOR电流( NA)
10
Vcb=45v
电容(pF)
4
3
5
输入和输出电容
VS反向偏置电压
F = 1.0 MHz的
1
CTE
2
1
0
ç OB
0.1
25
50
75
100
125
T
A
- AMBIE NT TEMP ERATURE (
°
C)
150
0
4
8
12
16
反向偏置电压(V)的
20
修改:
6
www.mccsemi.com
3 5
2010/06/17