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2N7002 参数 Datasheet PDF下载

2N7002图片预览
型号: 2N7002
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内容描述: N沟道MOSFET [N-Channel MOSFET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 5 页 / 169 K
品牌: MCC [ Micro Commercial Components ]
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MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯

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$ % ? ? ? ???? ? ! ?? " # ???
2N7002
特点
外壳材料:模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
和MSL等级1
先进的加工技术
高输入阻抗
高速开关
CMOS逻辑兼容输入
标记: 7002 / S72
等级
漏源电压
漏电流
总功耗
热阻结到环境
工作结温
储存温度
O
N沟道MOSFET
最大额定值@ 25
O
C除非另有说明
符号
V
DS
I
D
P
D
R
©
JA
T
J
T
英镑
等级
60
115
200
625
-55到+150
-55到+150
单位
V
mA
mW
/W
SOT-23
A
除非另有说明电气特性@ 25℃
符号
V
( BR ) DSS
V
TTH ( GS )
I
GSS
I
DSS
参数
漏源击穿电压
(V
GS
=为0 Vdc ,我
D
=10µAdc)
栅极阈值电压
(V
DS
=V
GS
, I
D
=250µAdc)
门体漏
(V
DS
=为0 Vdc ,V
GS
=f20Vdc)
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 60V直流,V
GS
=0Vdc)
(V
DS
= 60V直流,V
GS
=为0 Vdc ,T
j
=125 )
通态漏电流
(V
DS
=刻度0-7.5Vdc ,V
GS
=10Vdc)
漏源导通电阻
(V
GS
= 10Vdc的,我
D
=500mAdc)
(V
GS
= 5V直流,我
D
=50mAdc)
漏源电压
(V
GS
= 10Vdc的,我
D
=500mAdc)
(V
GS
= 5V直流,我
D
=50mAdc)
正向跨导
(V
DS
= 10Vdc的,我
D
=200mAdc)
二极管的正向电压
(V
GS
=为0 Vdc ,我
S
=115mAdc)
最大连续漏源
二极管的正向电流
输入电容
V
DS
=25Vdc,
输出电容
V
GS
=0Vdc
反向传输
f=1MHz
电容
V
DD
=30Vdc,
V
=10Vdc
R
L
=150Ω,I
D
=200mA,
R
=25Ω
60
1.0
---
---
---
500
---
---
---
---
80
---
-
---
---
---
典型值
---
---
---
---
---
2700
1.2
1.7
---
---
---
---
---
---
---
---
最大
---
2.5
f100
1
500
---
7.5
7.5
3.75
1.5
---
1.5
115
50
25
5
单位
VDC
VDC
NADC
μAdc
MADC
VDC
ms
VDC
mA







G
D
3
C
B
1.GATE
2.源
3.排水
1
F
E
2
H
J
K
尺寸
英寸
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
MM
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
I
D(上)
r
DS ( ON)
V
DS ( ON)
G
FS
V
SD
I
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
最大
.120
.098
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
最大
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
建议焊料
焊盘布局
.031
.800
.035
.900
.079
2.000
英寸
mm
pF
开关
t
D(上)
t
D(关闭)
开启时间
打开-O FF时间
---
---
---
---
20
ns
20
.037
.950
.037
.950
修订: 4
www.mccsemi.com
1 5
2008/01/01