MCC
特点
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21201 Itasca的街查茨沃斯
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2N3904
通孔封装
能功率耗散600mWatts的
引脚配置
底部视图
NPN通用
用途放大器
TO-92
A
E
C
B
E
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
符号
参数
集电极 - 发射极击穿电压*
(I
C
= 1.0mAdc ,我
B
=0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10μAdc ,我
E
=0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10μAdc ,我
C
=0)
基地截止电流
(V
CE
= 30V直流,V
BE
=3.0Vdc)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 30V直流,V
BE
=3.0Vdc)
直流电流增益*
(I
C
= 0.1mAdc ,V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
= 1.0mAdc ,V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
= 10mAdc ,V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
= 50mAdc ,V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
= 100mAdc ,V
CE
=1.0Vdc)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10mAdc ,我
B
=1.0mAdc)
(I
C
= 50mAdc ,我
B
=5.0mAdc)
基射极饱和电压
(I
C
= 10mAdc ,我
B
=1.0mAdc)
(I
C
= 50mAdc ,我
B
=5.0mAdc)
电流增益带宽积
(I
C
= 10mAdc ,V
CE
= 20VDC , F = 100MHz时)
输出电容
(V
CB
= 5.0Vdec ,我
E
= 0 , F = 1.0MHz的)
输入电容
(V
BE
= 0.5VDC ,我
C
= 0 , F = 1.0MHz的)
噪声系数
(I
C
= 100μAdc ,V
CE
= 5.0VDC ,R
S
=1.0kΩ
F = 10Hz到15.7kHz )
延迟时间
(V
CC
= 3.0VDC ,V
BE
=0.5Vdc
上升时间
I
C
= 10mAdc ,我
B1
=1.0mAdc)
贮存时间
(V
CC
= 3.0VDC ,我
C
=10mAdc
下降时间
I
B1
=I
B2
=1.0mAdc)
≤
300μS ,占空比
≤
2.0%
民
40
60
6.0
50
50
最大
单位
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
开关特性
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
BL
I
CEX
B
基本特征
h
FE
40
70
100
60
30
C
300
V
CE ( SAT )
0.2
0.3
0.65
0.85
0.95
VDC
D
V
BE ( SAT )
VDC
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
NF
300
4.0
8.0
5.0
兆赫
G
pF
pF
dB
暗淡
A
B
C
D
E
G
英寸
民
.175
.175
.500
.016
.135
.095
尺寸
MM
民
4.45
4.46
12.7
0.41
3.43
2.42
开关特性
t
d
t
r
t
s
t
f
*脉冲宽度
35
35
200
50
ns
ns
ns
ns
最大
.185
.185
---
.020
.145
.105
最大
4.70
4.70
---
0.63
3.68
2.67
记
www.mccsemi.com