5V / 3.3V或可调，低压差，
我低
Q
， 200mA线性稳压器
______________________________________________________________Pin说明
针
MAX882
MAX883/
MAX884
1
2
3, 6
4
5
—
7
8
名字
功能
低电池电压输出为开漏输出变为低电平时， LBI低于1.2V 。连接
IN或OUT通过一个上拉电阻。在关断模式下LBO未定义
(MAX883/MAX884).
反馈用于设置输出电压。连接到GND输出电压设置到预先
lected 3.3V或5V 。连接到外部电阻网络为可调输出操作。
接地引脚，也可以作为在SO封装的散热片。所有GND引脚必须焊接到
电路板进行适当的功率耗散。连接到大型铜焊盘或飞机
从IC通道换热。
稳压器输出。固定或可调从1.25V至11.0V 。来源高达200mA 。绕道了
2.2μF电容。
稳压器的输入。电源电压范围为2.7V至11.5V 。
待机。低电平比较器输入。连接至GND，禁止输出，或在正常
操作。电阻网络（在IN ）可用于设置备用模式的阈值。
关机。低电平有效逻辑输入。在关断模式下，电源电流降至1μA以下，并
V
OUT
= 0V
低电池电压比较器输入。领带的时候不使用。
MAX882/MAX883/MAX884
1
2
3, 6
4
5
7
—
8
LBO
SET
GND
OUT
IN
STBY
关闭
LBI
_______________Detailed说明
该MAX882 / MAX883 / MAX884是微功耗，低
差线性稳压器主要用于由电池
供电的应用。它们的特点是双模式™
操作，允许5V为MAX883一个固定的输出
和3.3V的MAX882 / MAX884 ，或可调输出
从1.25V至11V 。这些器件提供高达200mA
同时需要小于15μA的静态电流。由于illus-
trated在图1中，它们是由一个1.20V基准，误差
放大器， MOSFET驱动器，P沟道MOSFET ，双
模式比较和反馈分压器。
的1.20V基准源连接到所述误差放大器的
反相输入端。误差放大器作比较这个为参考
ENCE与所选择的反馈电压并放大
区别。 MOSFET驱动器读出的误差信号
并应用适当的驱动P沟道通
晶体管。如果反馈电压比为参考下
ENCE ，传输晶体管的栅极拉低，使
更多的电流通过，并增加输出电压。如果
反馈电压过高时，导通晶体管门
向上拉，使传递到输出更小的电流。
所述输出电压被反馈或者通过一个跨
最终电阻分压器连接到OUT引脚，
或外部电阻网络连接到所述集
引脚。双模比较检查SET引脚
电压，并选择所使用的反馈路径。如果SET
销下面65mV ，内部反馈的使用量和
输出电压调节到5V的MAX883或
3.3V的MAX882 / MAX884 。附加块
包括折返电流限制，反向电流亲
tection ，热传感器，关机或待机状态的逻辑，
和低电池电压检测比较。
内部P沟道MOSFET
该MAX882 / MAX883 / MAX884配备200mA的P-
沟道MOSFET晶体管。这提供了几个
使用PNP过类似的设计优势通过转录
电阻取值，包括更长的电池寿命。
所述P沟道MOSFET不需要碱驱动器，这
降低静态电流很大。基于PNP稳压
ulators浪费大量的电流时压降
传输晶体管饱和。他们还利用高基线
驱动大负载下的电流。该MAX882 / MAX883 /
MAX884不会从这些问题遭受和消费
仅在轻负载11μA的静态电流，重
负载和辍学。
输出电压选择
该MAX882 / MAX883 / MAX884具有双模式™
操作。在预设的电压模式下， MAX883的输出
放被设定为5V， MAX882 / MAX884的输出被设定
到3.3V ，使用内部修整反馈电阻。
选择此模式，通过连接设置到了地面。
在预设的电压模式，阻抗SET和间
地面应小于100kΩ的。否则，假
情况可能会导致在设定的电压超过
在65mV双模阈值。
7
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