3.3V/5V/Adjustable-Output,
升压型DC- DC转换器
_______________Detailed说明
工作原理
该MAX756 / MAX757组合开关模式稳压器
与N沟道MOSFET ，精密电压基准，
在单片器件掉电检测器。
该MOSFET是一种“感觉-FET ”式的最佳效率，
并具有非常低的栅极阈值电压，以确保
启动在低电池电压条件下（ 1.1V典型值） 。
MAX756/MAX757
电压时，二极管电流应该通过一系列的限制
电阻（ 1MΩ建议） 。逻辑输入阈值
电平是在两个3.3V的相同（大约为1V ）和
5V模式。不要让控制输入浮动。
__________________Design程序
输出电压选择
的MAX756输出电压可被选择为3.3V或
逻辑控制下的5V，或者它能够被放置在一个模式或
另外通过把3/5到GND或OUT 。效率变化
取决于电池和负载，并且是典型
美云优于80 ％以上2mA至200mA的电流范围。
该设备内部自举，带电源
来自于所述输出电压（通过OUT）。当
输出被设定为5V ，而不是3.3V ，较高的内部
电源电压导致在较低的开关晶体管
性和稍大的输出功率。
引导使得电池电压下垂到少
于1V一旦系统被启动。因此，对电池进行
tery电压范围是从V
OUT
+ V
D
到小于1V
（其中V
D
是肖特基整流器的正向压降） 。
如果电池电压超过设定的输出
电压时，输出将跟随电池电压。在
许多系统中，这是可以接受的;但是，输出
电压必须不能超过7V强迫。
的MAX757的输出电压是由两个电阻设定
器中，R 1和R 2 （图1） ，其构成一个分压器
输出和FB引脚之间。输出电压
被设定在式：
V
OUT
= (V
REF
) [(R2 + R1) / R2]
其中，V
REF
= 1.25V.
为了简化电阻的选择：
R 1 = （R 2） [ （Ⅴ
OUT
/ V
REF
) - 1]
由于输入偏置电流在FB的具有最大
100nA的价值，大的值（ 10kΩ和200kΩ的）可
用于R1和R2与无显著损失精度。
为1 ％的误差时，电流通过R 1应至少
100次FB的偏置电流。
脉冲频率
调制控制方案
独特的最小关断时间，电流限制，脉冲frequen-
CY调制（ PFM ）控制方案的一个关键特征
该MAX756 / MAX757 。这PFM方案结合了
的脉冲宽度调制（PWM） （高输出的优点
功率和效率），与传统的PFM
脉冲队长（超低静态电流） 。没有
振荡器;在重负载，转换完成
通过一个恒定的峰值电流限制在所述开关，其中
使电感器电流以这之间的自激振荡
峰值限制和一些更小的值。轻载时，开关
频率由一对单稳，即设置一个管辖
最小关断时间（ 1μs的时间）和最大导通时间（ 4微秒） 。
开关频率依赖于负载和
输入电压，范围可以高达500kHz的。
内部MOSFET功率的峰值开关电流
开关被固定在1A ± 0.2A 。该开关的导通电阻
通常是0.5Ω ，产生开关电压降
(V
SW
高输出负载下大约为500mV ） 。该
V的价值
SW
减小轻负载电流。
传统的PWM变换器产生恒频
昆西开关噪声，而这种架构亲
duces变频开关噪声。不过，
的噪声不超过开关电流限制倍
滤波电容器的等效串联电阻（ESR） ，
与传统的脉冲船长。
参考电压
精密电压基准是合适的，用于驱动
外部负载，例如一个模拟 - 数字转换器。
它保证250μA电源电流20μA和
灌电流能力。基准保持活动状态
即使在关断模式。如果参考驱动一个
外部负载，绕过它具有0.22μF至GND 。如果REF-
erence卸载，绕过它，至少0.1μF 。
低电池电压检测
该MAX756 / MAX757包含芯片电路低
电池检测。如果在LBI的电压下降的稳压以下
软件模拟器的内部基准电压（ 1.25V ） ， LBO （一个开
漏极输出）吸收电流接地。电池低电量MON-
itor的阈值是由两个电阻设定，R3和R4 （图
1） ，其形成所述输入端之间的分压器电压
年龄和LBI引脚。的阈值电压由R3设定
和使用R4上的公式如下：
R 3 = 〔 （Ⅴ
IN
/ V
REF
) - 1] (R4)
控制逻辑输入
控制输入（ 3/5 ， SHDN ）是高阻抗
MOS门通过正常免受ESD损伤
反向偏置钳位二极管。如果这些输入DRI-
从超过主电源信号源体ven
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