开关模式锂离子电池
电池充电器
MAX745
MOSFET驱动器
该MAX745驱动外部N沟道MOSFET，以
切换输入源产生的电池电压或
电流。由于高侧N沟道MOSFET的栅极
必须被驱动到电压比输入源更高
电压，电荷泵用于产生这样的电压
年龄。电容器（ 7）充电，通过D2至内约
三方共同5V时，同步整流器（ M1B ）开启
（图1） 。由于C 7的一侧被连接至LX （该
源M1A的） ，该高边驱动器（DHI ）驱动栅极
到的电压在BST ，它大于输入
电压，而高边MOSFET导通。
同步整流器（ M1B ）的行为就像一个二极管
但具有更小的电压降，提高了效率。一
小死区时间的时间之间时，加入
高侧MOSFET被关断，并当同步的
知性整流器导通，反之亦然。这
防止在开关转换撬棍电流。
放置一个肖特基整流器，从LX到地（ D1 ，跨
M1B的漏极和源极），以防止所述同步
在死区进行整流的体二极管
时间。体二极管通常有慢switching-
恢复时间，因此允许其进行降解
效率。 D1可以，如果效率是不是可以省略
关注，但由此产生的更高的功耗
在同步整流器必须加以考虑。
由于BST电容充电，而同步的
知性整流器上，所述同步整流器可能并不
由整流取代。 BST电容不能完全
充电没有同步整流器，留下高
侧MOSFET具有足够的栅极驱动打开。
然而，在同步整流器可以被替换
一个小的MOSFET （如2N7002 ），以保证
BST电容允许充电。在这种情况下，该
多数的高充电电流是由D1携带
而不是由同步整流器。
最小输入电压
的输入电压的充电器电路必须大
比约2V的最大电池电压
这样的充电器可以合理调节电压。该
输入电压可以有一个大的AC纹波成分
从墙上适配器工作时。在低电压
点的脉动波形仍然必须近似
2V大于最大电池电压。
使用的组件，如图1所示，最小
输入电压可以由以下公式确定：
[V
BATT
+ V
D6
+ I
CHG
(R
DS （ ON）
+ R
L
+ R1)]
V
IN
x
0.89
其中：V
IN
为输入电压;
V
D6
是横跨D6上的电压降
（典型0.4V至0.5V ） ;
I
CHG
是充电电流;
R
DS （ ON）
是高侧
MOSFET M1A的导通电阻;
R
L
是电感器的串联电阻;
R1是电流检测电阻R1的值。
__________________Pin配置
顶视图
IBAT 1
DCIN 2
VL 3
CCV 4
CCI 5
THM / SHDN 6
REF 7
VADJ
8
20 BST
19 LX
18 DHI
17 DLO
MAX745
16 PGND
15 CS
14 BATT
13 STATUS
12 CELL0
11 CELL1
内部稳压器和参考
该MAX745采用内部低压差线性稳压
TOR创建一个5.4V电源（ VL ） ，其中的权力
内部电路。该VL稳压器可提供高达
25毫安。由于这个电流权力的内部电路4毫安
cuitry ，剩余21毫安可用于外部税务局局长
cuitry 。 MOSFET栅极驱动电流来自VL ，
其中绘制电流时，必须考虑
其它功能。要估计到所需的驱动电流
MOSFET管，乘MOSFET栅极的总和
电荷通过开关频率（典型地为300kHz ） 。
旁路VL带有4.7
µ
F的电容，以确保稳定性。
的MAX745内部4.2V参考电压必须
旁路用0.1
µ
F或更大的电容。
SETI 9
GND 10
SSOP
___________________Chip信息
晶体管数量： 1695
衬底连接到GND
8
_______________________________________________________________________________________
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