+ 5V /可编程低压降
稳压器
输出电压选择
如果SET被连接到一个电阻分压器（图
3 ），输出电压被设定在式：
V
OUT
= V
SET
×（ R1 + R2） / R1，
其中，V
SET
= 1.22V
为了简化电阻的选择：
R2 = R1 ×（ V
OUT
/ V
SET
- 1)
由于输入偏置电流在设定的最大
10nA的的值，比较大的值，可用于
R1和R2 ，不会损失精度的。 1MΩ是一个典型的
值R1 。在V
SET
公差小于± 25mV的。
这使得无需微调电位器预置输出，
仅使用固定电阻器在大多数情况下。不过，
当电阻小于1MΩ值越大时，支付
特别注意印刷电路板泄漏那
可以在SET输入引入错误。
压差检测器
最小输入 - 输出电压差，或低压差工作
年龄，决定了监管机构的最低可用输入
电压。在电池供电系统，这决定
报废的有用的电池电压。该MAX667为特色的
Tures的非常低的压差电压（见
电动
特性） 。
另外， MAX667具有差
检测器的输出， DD ，改变为低压差工作
年龄接近它的极限。 DD是一个集电极开路
PNP晶体管。压差和辍学
检测器都依赖于输出电流和温
perature 。当输入电压大于300mV的
上面的输出电压时，压差检测器不会
进行。由于差低于300mV的降低，
DD的源电流急剧增加。该电流
信号警告，法规即将被丢失。
从DD连接一个电阻（通常100kΩ的），以
地发展，可以通过被监测的电压
模拟电路或由一个COM改变为数字电平
parator 。 LBI的可以用于此目的。
MAX667
MAX667
关机（待机）模式
SHDN使器件进入待机模式，以节省
力。当此引脚保持低电平时， IC工作去甲
马利。如果它高于1.5V的驱动下，芯片会关闭。
在MAX667的静态电流降低到
小于1μA ，并且OUT关闭。
注意，电压为SHDN决不可能更
比0.3V比V高
IN
.
__________Applications信息
输出电容
如同所有的PNP输出稳压器，一个输出电容
（C 1 ，图2）是必需的，以保持稳定性。为10μF
推荐使用。为了确保稳定性，输出电容
ESR必须足够高。图4示出了微型
妈妈所需的输出电容的ESR对于给定的temper-
ATURE 。可选地，电阻器可以串联地加入
与所述输出电容器（图5） ;的输出的总和
低电池电压功能
MAX667的电路，包括用于低电池探测器
化。如果在LBI的电压低于稳压器的
内部基准（ 1.22V ） ， LBO ，漏极开路输出，
汇到GND电流。该阈值可以被设置为任何
以上通过连接所述参考电压电平
基于式电阻分压器LBI ：
R3 = R4 ×（ V
BATT
/ V
LBI
- 1)
其中，V
BATT
是在低电池电压的期望的阈值
检测器，和R3和R4是LBI的输入分
电阻器。
因为LBI输入电流不大于10nA的更多，高val-
UE用于R3和R4减少负载。如果V
OUT
为5V时，一
5.5V低电池电压阈值可通过8.2MΩ的设置
R3和值为2.4MΩ为R4 。当电阻值大
超过1MΩ时，要特别注意PC板
漏，可以在LBI输入引入错误。
当在LBI的电压低于内部阈值，
LBO吸收电流接地。为10kΩ的上拉电阻或
更连接到OUT可以用此引脚时，可以使用
驱动CMOS电路。任何上拉电阻连接
以LBO应
不
被返回到一个电压源
大于V
OUT
。当LBI高于阈值或
该MAX667是SHDN模式时， LBO输出关闭。
4
最小的ESR （ Ω ）
3
2
1
0
-60 -40 -20
0
20
40 60
80 100 120
温度（℃）
图4.最低所需的输出电容ESR主场迎战
温度
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MAX667 -FG 4
5
5
MAXIM [ MAXIM INTEGRATED PRODUCTS ]
