+ 12V ， 30mA闪存存储器
编程电源
表1.电容供应商
供应商
村田伊利
电话号码
(814) 237-1431
传真号
(814) 238-0490
RPE123Z5U105M50V
斯普拉格电气
(603) 224-1961
(207) 324-4140
(603) 224-1430
(207) 324-7223
595D475X9016A7
595D105X9016A7
1.0μF陶瓷（ TH ）
4.7μF钽（ SM ）
1.0μF钽（ SM ）
电容
GRM42-6Z5U224M50
电容器型*
0.22μF陶瓷（SM）的
MAX662A
*注： （SM ）表示的表面安装部件， （TH ）表示通孔元件。
布局的注意事项
2
C1
0.22µF
3
C2
0.22µF
V
IN
4.75V至5.5V
V
OUT
+12V ±5%
在30毫安
C4
4.7µF
C5
4.7µF
C2-
C1+
4
5
MAX662A
C2+
V
CC
C1-
SHDN
1
8
布局是非常关键的，由于MAX662A的高振
频率。良好的布局可以确保稳定，并有助于
保持在重负载下的输出电压。为了获得最好的
性能，使用的电容很短的连接
器。重要性的顺序是： C4，C5， C1，C2 。
闪存EEPROM的应用
程序设计
控制
直接从
µP
6
V
OUT
GND
7
图3a的电路为+ 12V ±5％ 30毫安闪
EEPROM编程电源。一个microproces-
SOR控制通过SHDN编程电压
引脚。当SHDN为低时，输出电压（这是
连接到FLASH存储器V
PP
电源电压引脚）
上升到+ 12V ，以方便编程闪存memo-
RY 。当SHDN为高时，输出电压被连接
到V
IN
通过内部1kΩ的电阻。
图3a。闪存EEPROM编程电源的
商业级温度范围的应用
并联设备
两个MAX662As可以放置在平行于增加
输出驱动能力。在V
CC
, V
OUT
，以及GND
可以并联，从而减少引脚数量。使用单
旁路电容和单个输出滤波电容
用两倍的电容值，如果这两个设备可以
放置在靠近彼此。如果MAX662As不能
放在并拢，使用单独的旁路和
输出电容器。输出纹波的量
观察将决定是否单一的输入旁路
和输出滤波电容器都可以使用。在某些
的条件下，一个设备可以提供总的输出电流
租。因此，不管装置中的若干
同时，最大连续电流不得
超过50毫安。
3
*C2
1.0µF
V
IN
4.75V至5.5V
*C4
22µF
V
OUT
+12V ±5%
在30毫安
*C5
22µF
C2-
C1+
2
*C1
1.0µF
4 C2+
5
V
CC
MAX662A
C1-
SHDN
1
8
6
V
OUT
GND
7
程序设计
控制
直接从
µP
12V和20V双路输出电源
* SPRAGUE 595D系列同类
图3b 。闪存EEPROM编程电源的
扩展和/或军用温度范围应用
使用的电荷泵倍压电路
图4中， MAX662A能产生+ 20V的电源
从单一的+ 5V电源。图5示出了电流
在+ 20V供电的能力。
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5
MAXIM [ MAXIM INTEGRATED PRODUCTS ]
