CMOS单片电压转换器
MAX660
绝对最大额定值
工作温度范围
电源电压（V +至GND或GND为OUT） ....................... + 6V
MAX660C_ _ ................................................ ........ 0 ° C至+ 70°C
LV输入电压........................ （ OUT - 0.3V ）至（V + + 0.3V ）
MAX660E_ _ ................................................ .....- 40 ° C至+ 85°C
FC和OSC输入电压........................最小负
MAX660MJA ................................................. ..- 55 ° C至+ 125°C
（OUT - 0.3V ）或（V + - 6V）至（V + + 0.3V ）
存储温度范围............................... -65 °至+ 160°C
OUT和V +的连续输出电流.......................... 120毫安
焊接温度（焊接， 10秒） ........................... + 300℃
输出短路持续时间至GND （注1 ） .................... 1秒
连续功率耗散（T
A
= +70°C)
塑料DIP （减免9.09mW / ° C以上+ 70 ° C） ............ 727mW
SO （减免5.88mW / ° C以上+ 70 ° C） .......................... 471mW
CERDIP （减免8.00mW / ° C以上+ 70 ° C） .................. 640MW
注1 ：
OUT可能短路到GND为1秒而不损坏，但短路到V +可能会损坏设备，并应
避免使用。另外，对于温度高于+ 85℃时，输出不能被短路至GND或V +时，甚至瞬间，或设备
可能会损坏。
超越那些在“绝对最大Ratings"上市强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
电气特性
（V + = 5V ， C1 = C2 = 150μF ，如图1 ， FC =开放，T的测试电路
A
= T
民
给T
最大
中，除非另有说明。 ） （注2）
参数
工作电源电压
R
L
= 1kΩ
条件
变频器， LV =打开
变频器， LV = GND
倍， LV = OUT
电源电流
输出电流
空载
FC =开， LV =开
FC = V + ， LV =开
100
100
15
6.5
5
40
10
80
±1
±8
96
92
98
96
88
99.00
99.96
%
%
10.0
12
千赫
µA
Ω
民
3.0
1.5
2.5
0.12
1
典型值
最大
5.5
5.5
5.5
0.5
3
mA
mA
V
单位
T
A
≤
+ 85°C ，输出超过-4V负
T
A
＆ GT ; + 85°C ，输出比-3.8V更负
T
A
≤
+ 85°C ， C1 = C2 = 10μF ， FC = V + （注4 ）
I
L
= 100毫安
FC =开
FC = V +
FC =开
FC = V +
R
L
= 1kΩ的连接在V +和OUT
R
L
= 500Ω连接OUT和GND之间
I
L
= 100mA至GND
T
A
≤
+ 85°C ， C1 = C2 = 150μF
T
A
≤
+85°C
输出电阻（注3）
振荡器频率
OSC输入电流
功率英法fi效率
电压转换
效率
空载
注2 ：
在测试电路中，电容器C1和C2是150μF ， 0.2Ω最大ESR ，铝电解。
电容器具有较高的ESR可以减小输出电压和效率。看
电容的选择
部分。
注3 ：
指定的输出电阻内部开关电阻和电容的ESR组合。看
电容的选择
部分。
注4 ：
的C1 = C2的ESR
≤
0.5Ω 。通过相关保证，但未经生产测试。
2
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