5V / 3.3V或可调，低压差，
我低
Q
， 500mA线性稳压器
MAX603/MAX604
IN
关闭
MOSFET驱动器
折返
电流限制
反向
当前
保护
P
误差放大器
关闭
关闭
逻辑
OUT
SET
R1
1.20V
参考
热
传感器
GND
双模
比较
80mV
R2
MAX603
MAX604
图2.功能框图
_______________Detailed说明
该MAX603 / MAX604是低压差，低quiescent-
目前主要用于由电池线性稳压器
供电的应用。他们提供一个可调节的1.25V
到11V输出或预选5V（ MAX603 ）或3.3V
（ MAX604 ）输出负载电流高达500mA 。如
在图2中示出，它们是由一个1.20V基准
误差放大器， MOSFET驱动器， P沟道晶体管通
器，双模式的比较，以及内部反馈电压
年龄分。
在1.20V的带隙基准被连接到错误
放大器的反相输入端。误差放大器作比较
该参考与所选择的反馈电压和
放大的差。 MOSFET驱动器的读取
误差信号，并应用适当的驱动器的P-
道通晶体管。如果反馈电压是低
比参考，传输晶体管栅极被拉到
下，允许更多的电流通过，并增加了
输出电压。如果反馈电压过高，则
传输晶体管的栅极被向上拉，从而允许更小的电流
传递到输出端。
所述输出电压被反馈通过一个内部
电阻分压器连接到OUT引脚，或
外部电阻器网络连接到SET引脚。该
双模比较检查SET电压和
选择所使用的反馈路径。如果SET低于80mV的，
内部反馈的使用和输出电压regulat-
编至5V的MAX603或3.3V的MAX604 。
其他模块包括一个折返式限流，反向
电流保护，温度传感器，和关断逻辑。
内部P沟道MOSFET
该MAX603 / MAX604配备500mA的P沟道
通过MOSFET晶体管。这提供了几个研华
产品关键词在使用PNP旁路晶体管类似的设计，
包括更长的电池寿命。
所述P沟道MOSFET不需要碱驱动器，这
降低静态电流很大。基于PNP
监管机构浪费了相当数量的电流
辍学时，导通晶体管饱和。他们还
使用大负荷下的高基极驱动电流。该
MAX603 / MAX604不会从这些问题吃亏
仅消耗15μA的静态电流下
轻和重的负载，以及在压差。
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