过压保护控制器
具有反向极性保护
MAX4864L/MAX4865L/MAX4866L/MAX4867
适配器
-28V至+ 28V
1μF
IN
GATEP
GATEN
P
N
N
产量
如果输入实际上是拉低时，输出将
也被拉低，由于寄生体二极管中
在MOSFET 。如果这是一个问题，则背到背
要使用的配置。
MOSFET选择
该MAX4864L / MAX4865L / MAX4866L / MAX4867是
设计用于与互补MOSFET或赎罪
GLE p沟道和双背到背n沟道
的MOSFET。在大多数情况下， MOSFET的带有R
ON
光谱
后指定的V
GS
4.5V工作良好。另外， V
DS
应
是+ 30V的MOSFET承受全部的+ 28V IN
在MAX4864L范围/ MAX4865L / MAX4866L /
MAX4867 。表1示出了一个选择MOSFET的
它们是适合于与MAX4864L使用/
MAX4865L/MAX4866L/MAX4867.
MAX4864L
MAX4865L
MAX4866L
MAX4867
GND
旗
V
IO
图6.返回到返回外部MOSFET配置
IN旁路
应用信息
MOSFET配置
该MAX4864L / MAX4865L / MAX4866L / MAX4867可
有两种互补MOSFET配置中使用
如图中
典型工作电路，
或者可以CON组
想通具有单个p沟道MOSFET和后端用于─
如图6背面的n沟道MOSFET 。
该MAX4864L / MAX4865L / MAX4866L / MAX4867可驱动
任一的互补MOSFET或单个p沟道
MOSFET和后端到背面的n沟道MOSFET 。该
背到后端配置几乎为零的反向电流
租当适配器不存在，或者当
适配器电压低于UVLO阈值。
如果反向电流泄漏是不是一个问题，单个
MOSFET的都可以使用。这种方法有一半的损失
背面对背面配置与西米当用于
拉尔MOSFET的类型和是一个低成本的解决方案。记
对于大多数应用来说，旁路适配器连接到GND用
1μF的陶瓷电容。如果电源有显
着电感由于长期引线长度，小心
防止过冲是由于LC谐振电路和亲
韦迪保护，如果有必要，以防止超过
+ 30V绝对最大额定值以IN 。
ESD测试条件
ESD性能取决于许多条件。该
MAX4864L / MAX4865L / MAX4866L / MAX4867指定
有关在± 15kV的ESD典型的电阻时，适配器为
旁路至地， 1μF的陶瓷电容。
人体模型
图7示出了人体模型，以及图8
示出的电流波形显示时产生
装入一个低阻抗。该模型包括一个
100pF的电容充电至所感兴趣的ESD电压，
然后将其排出到设备通过一个
1.5kΩ电阻。
表1. MOSFET建议
部分
Si5504DC
Si5902DC
Si1426DH
Si5435DC
FDC6561AN
FDG315N
FDC658P
FDC654P
配置/
包
补充
MOSFET/1206-8
Dual/1206-8
Single/µDFN-6
Single/1206-8
Dual/SSOT-6
Single/µDFN-6
Single/SSOT-6
Single/SSOT-6
V
GS
最大
(V)
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
V
DS
最大
(V)
+30
-30
+30
+30
-30
+30
+30
-30
-30
R
ON
在4.5V （ MΩ）
143 （N- MOSFET ）
290 （ P- MOSFET ）
143 （N- MOSFET ）
115 （N- MOSFET ）
80 （ P- MOSFET ）
145 （N- MOSFET ）
160 （N- MOSFET ）
75 （ P- MOSFET ）
125 （对MOSFET）
飞兆半导体
Vishay Siliconix公司
生产厂家
8
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