500kHz，多输出，低噪声电源设备
控制器，用于笔记本电脑
MAX1901/MAX1902/MAX1904
标准应用电路
基本MAX1901 / MAX1904双输出3.3V / 5V
降压转换器（图1）容易地调整，以满足一个
广泛的与输入高达28V的由应用程序
从表1代的组件，这些电路
是有成本的一套好的权衡，大小，
和效率，而内住最坏情况
为与压力有关的参数规格限制，例如
作为电容器的纹波电流。不要改变频率
无需首先重新计算部件，这些电路的
值（尤其是在最大BAT-电感值
tery电压）。添加在每个肖特基整流器
同步整流提高了这些效率
约1％的电路，但这种整流器是否则
明智没有必要的，因为所需的MOSFET
这些电路一般包括一个高速硅
二极管从漏极到源极。使用肖特基整流器
额定直流电流等于至少三分之一的
负载电流。
详细说明
该MAX1901 / MAX1902 / MAX1904是双路， BiCMOS工艺，
开关模式电源控制器设计的革命制度党，
玛利莲的降压稳压器的拓扑结构在电池供电
应用中的高效率和低静态
电源电流是至关重要的。轻载效率
通过自动空闲模式操作提高，应用的领域
能频率脉冲跳跃模式，减少转录
习得和栅极电荷损耗。每个降压，
电源开关电路由两个N沟道
晶体管，一个整流器和一个LC输出滤波器。在输出
放电压是在开关的平均交流电压
节点，这是通过改变占空比调节
MOSFET的开关。栅极驱动信号提供给
N沟道高边MOSFET必须超过电池
电压，并且通过浮动电容自举提供税务局局长
扣器，它使用一个100nF的电容连接到BST_ 。
表1.组件选择为标准的3.3V / 5V应用
部件
输入范围
频率
Q1 ， Q3高边
MOSFET的
Q2 ， Q4低端
MOSFET的集成
肖特基二极管
C3输入电容
C1输出电容
C2输出电容
R1，R2电阻器
电感L1
电感L2
7V至24V
333kHz
1/2飞兆半导体FDS6982S或
1/2国际整流器
IRF7901D1
1/2飞兆半导体FDS6982S或
1/2国际整流器
IRF7901D1
3
✕
10μF ， 25V陶瓷
太阳诱电TMK432BJ106KM
150μF ， 6V POSCAP
三洋6TPC150M
2
✕
150μF ， 4V POSCAP
三洋4TPC150M
0.018Ω
戴尔WSL2512 - R018 -F
10μH ， 4.5A铁氧体
墨田CDRH124-100
7.0μH ， 5.2A铁氧体
墨田区CEI122 -H - 7R0
负载电流
4A/333kHz
7V至24V
500kHz
1/2飞兆半导体FDS6982S或
1/2国际整流器
IRF7901D1
1/2飞兆半导体FDS6982S或
1/2国际整流器
IRF7901D1
3
✕
10μF ， 25V陶瓷
太阳诱电TMK432BJ106KM
150μF ， 6V POSCAP
三洋6TPC150M
2
✕
150μF ， 4V POSCAP
三洋4TPC150M
0.018Ω
戴尔WSL2512 - R018 -F
7.0μH ， 5.2A铁氧体
墨田区CEI122 -H - 7R0
5.6μH ， 5.2A铁氧体
墨田区CEI122 -H - 5R6
4A/500kHz
7V至24V
500kHz
飞兆半导体FDS6612A或
国际整流器器
IRF7807V
飞兆半导体FDS6670S或
国际整流器器
IRF7807DV1
4
✕
10μF ， 25V陶瓷
太阳诱电TMK432BJ106KM
2
✕
150μF ， 6V POSCAP
三洋6TPC150M
2
✕
220μF ， 4V POSCAP
三洋4TPC220M
0.012Ω
戴尔WSL2512 - R012 -F
4.2μH ， 6.9A铁氧体
墨田区CEI122 -H - 4R2
4.2μH ， 6.9A铁氧体
墨田区CEI122 -H - 4R2
6A/500kHz
12
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