350mA，可16.5V输入，
低压差线性稳压器
P沟道晶体管
该MAX1658 / MAX1659具有内部P沟道
通过MOSFET晶体管。使用MOSFET提供
在类似的PNP设计几个优点，其中包括
更低的压差电压和更长的电池寿命。与
双极型晶体管， MOSFET的降低静态电流，
因为它们不要求的基极电流，特别是在
重载荷和辍学。其结果是，在
MAX1658 / MAX1659在低静态电流工作
即使在辍学。
术的典型电路在调节模式下工作。
输出电压被设定由下式：
R1
V
OUT
=
V
SET
1
+
R2
其中，V
SET
= 1.21V 。求解R1可以得到：
V
R1 = R2
OUT
−
1
V
SET
SET输入的输入漏电流小于
25nA 。这允许在所述馈使用大的电阻
退网，以减少无输出电流损耗
影响精度。 R 2可以是高达500kΩ的
在大多数应用中。
MAX1658/MAX1659
输出电压选择
双模式操作允许MAX1658 / MAX1659为
在任一预设的或用户可调节的输出操作
电压。该设备比较SET引脚电压
内部65mV的参考。如果电压低于
65mV （通常通过接地装置来实现） ，则
设备切换到一个内部电阻分压器反馈
网络设置输出电压。在MAX1658的
预置输出电压为3.3V， MAX1659的是5V
（图2） 。
如果SET引脚不低于65mV ，设备切换到
外部反馈和SET成为一个反馈输入。
反馈网络可以被配置为产生
16V的电压基准之间的输出
（标称1.21V ） 。根据条例，反馈
机构调整所述误差信号，使得所述电压
年龄在SET引脚等于参考电压。
因此，要实现最低的输出，连接设置
直接OUT 。对于其他电压，电阻电压 -
分压网络是必要的。图3示出了白杨
关闭
在逻辑低电平
SHDN
引脚放置MAX1658 /
MAX1659在关断模式。此模式禁用所有功能
系统蒸发散，包括旁路晶体管。该器件所
消耗更少比电源电流1μA关断模式，
并且它的输出变为高阻抗。该
MAX1658 / MAX1659退出关断模式以100μs 。
输出电流限制
该MAX1658 / MAX1659包括电流限制circuit-
Ry的用于监视和控制所述传输晶体管和
限制输出电流约900毫安。可以将输出
被短路到地下去，而不会损坏
装置。
ON
关闭
2
SHDN
OUT
4, 5
输出电压
3.3V/350mA
(5V/350mA)
输入
电压
3, 6, 7
IN
MAX1658
MAX1659
OUT
4, 5
产量
电压
输入
电压
3, 6, 7
MAX1658
(MAX1659)
IN
10µF
0.1µF
GND
8
SET
1
2
SHDN
SET
1
R1
C
OUT
10µF
R2
GND
8
0.1µF
V
OUT
= V
SET
1 + R1
R2
V
SET
= 1.21V
(
)
图2.预置输出配置
图3.可调式输出配置使用外部
反馈电阻
7
_______________________________________________________________________________________
MAXIM [ MAXIM INTEGRATED PRODUCTS ]
