5V / 3.3V或可调， 100 ％占空比，
高效率，降压型DC -DC控制器
MAX1626/MAX1627
A
B
A
B
C
0A
C
0A
10µs/div
电路图1， V + = 8V ，V
OUT
= 5V ， LOAD = 100毫安
答： MOSFET漏极， 5V / DIV
B： OUT ，为50mV /格， 5V DC OFFSET
C：电感电流1A /格
10µs/div
电路图1， V + = 8V ，V
OUT
= 5V ， LOAD = 1.5A
答： MOSFET漏极， 5V / DIV
B： OUT ，为50mV /格， 5V DC OFFSET
C：电感电流1A /格
图3.非连续导通模式，轻负载电流
波形
图4.连续导通模式，高负载电流
波形
EXT驱动电压范围
EXT波动从V +至GND ，并提供门
用于驱动一个外部P沟道功率MOSFET 。一个高
呃电源电压提高了栅极驱动
MOSFET和导通电阻的降低（注册商标
DS （ ON）
） 。看
外部开关晶体管
部分。
关机。旁路0.1μF的参考标准
操作。在0.2英寸放置旁路电容
REF的（5毫米） ，可直接跟踪到GND （图7 ） 。
软启动
软启动减少压力和瞬态电压衰退
上的电源。当输出电压接近
地面的最小关断时间延长，以限制峰值
开关电流。这弥补了减少的负面
略去电感电流斜率由于低输出电压。
静态电流
该器件的典型静态电流为70μA 。
然而，实际应用中吸取到更多的电流
电源MOSFET的开关电流， OUT引脚的电流，或
外部反馈电阻器（如果使用） ，和两个二极管
和电容器的漏电流。例如，在税务局局长
CUIT图1中，与V +在7V和V
OUT
在5V，典型的
无负载电源电流为整个电路84μA 。
当设计用于高温的电路操作
化，选择具有低反向漏电流肖特基二极管。
________________Design信息
设置输出电压
在MAX1626的输出电压可被选择为3.3V
或逻辑控制下的5V通过使用
3/5
引脚。该
3/5
引脚需要小于0.5V ，以保证3.3V输出，或
超过（V + - 0.5 ）V ，以保证5V输出。该
电压感测端子（OUT）必须被连接到所述输出
置于所述的MAX1626 。
在MAX1627的输出电压是通过使用两个电阻设定
器，R2和R3 （图5） ，其构成一个分压器
的输出和GND之间。 R 2由下式给出：
V
R 2 = R 3 X
OUT
−
1
V
REF
其中，V
REF
= 1.3V 。由于输入偏置电流的FB
具有50nA的10kΩ的最大值大的值（以
200kΩ的）可用于R 3 ，没有显著精度
损失。对于1 ％的误差，流经R2的电流应为
关断模式
当SHDN为高电平时，器件进入关断模式。
在这种模式下，反馈和控制电路，基准
和内部偏置电路被关断。 EXT进入
高，关闭外部MOSFET 。关闭
电源电流降至1μA以下。 SHDN为逻辑电
电平输入。 SHDN接GND时正常工作。
参考
的1.3V基准适用于驱动外部负载，
例如，模拟 - 数字转换器。它有一个瓜拉尼
开球10mV的最大负荷调节，同时装载采购
电流高达100μA 。在参照已关闭
8
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