DS1216的SmartWatch RAM / ROM的SmartWatch
详细说明
在DS1216的SmartWatch RAM和ROM的SmartWatch插座是600密耳宽的DIP插座带
内建的CMOS手表功能，非易失RAM控制器电路，和一个嵌入锂的能量来源。
该插座提供对内存的NV RAM解决方案，从2K ×8到512K ×8与封装尺寸大小
从26针到32针。当一个套接字交配的CMOS SRAM ，它提供了一个完整的解决方案
与存储器的波动相关联的问题，并使用一个共同的能量源，以保持时间和日期。
该的SmartWatch ROM插座使用嵌入的锂源来维持的时间只有日期。一
所述的SmartWatch的关键特征是，所述的手表功能保持透明到RAM中。该
的SmartWatch监视V
CC
对于超出容限。当这种情况发生时，内部
锂电池便自动接通，写保护将无条件使能，
防止手表和RAM中的数据的丢失。
使用的SmartWatch可以节省印刷电路板空间，因为的SmartWatch和配合RAM的组合
占用不超过单独的内存更大的面积。该的SmartWatch采用V
CC
，数据I / O 0 ，
CE， OE ，
和
WE
RAM和手表的控制。所有其他引脚通过直接通过插座上的插孔。
该的SmartWatch提供计时信息，包括秒，秒，分百分之一，
小时，天，日，月和年。在每月结束日期被自动调整为
个月，少于31天，其中包括闰年补偿。该的SmartWatch工作在
24小时或12小时格式，带AM / PM指示。
手术
同的SmartWatch RAM的通信是通过模式识别上的一个串行比特流建立
这必须通过执行包含在适当的数据64个连续的写周期被匹配64位
DQ0 。上的SmartWatch ROM中，与时钟通信是利用A2和A0的建立，并
或
OE
or
CE 。
那之前的识别64位模式的出现的所有的访问被定向到存储器。
后的图案匹配，下一个64读和/或写操作将被定向到时钟和RAM是
禁用。一旦模式被建立时，下一个64读/写周期将被引导到RTC
寄存器。当再次通电时， 64读前应进行任何写操作执行，以确保RTC
寄存器不会写。如果A模式匹配将被忽略
RST
位为零，且
RST
引脚变为低电平
在比赛顺序。如果在读期间的64位匹配时，会发生模式匹配也终止
序列。
模式匹配-RAM
数据转移和从计时寄存器来完成与下控制一个串行比特流
芯片使能（CE ） ，输出使能（OE ）和写使能（WE ） 。最初，一个读周期的任何存储器
位置使用
CE
和
OE
所述的SmartWatch的控制开始由图案识别序列
移动指针64位比较寄存器的第一位。接着， 64个连续的写周期
使用所执行的
CE
和
WE
控制的SmartWatch的。这些64个写周期，仅用于获得
访问的SmartWatch 。因此，任何地址到插座中的存储器是可以接受的。不过，
生成以访问所述的SmartWatch的写入周期也将数据写入到一个位置，在
配合的RAM 。首选的方式来管理这个要求是在预留只是一个地址位置
RAM作为的SmartWatch暂存。当执行第一个写周期，它是相对于第0位
64位比较寄存器。如果发现匹配，指针增量的下一个位置
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