DA9275.007
2004年2月19日
外部元件的选择
MAS9275需要的外部元件正常工作的最小数目。
石英晶体
该MAS9275 VCXO功能包括的
外部晶体和集成的VCXO振荡器
电路。为了确保最佳的系统性能
（频率引入范围）和可靠性，一个晶体
设备与建议的参数（示
下面）必须被使用，并且在布局准则
下面的部分必须被遵循。该
石英晶体振荡的频率是
其“切割”，并通过负载电容确定
推荐的晶体参数：
在25 ° C初始精度为± 20 ppm的
温度稳定性± 30 ppm的
晶体负载电容为10pF （见下面注1 ）
水晶并联电容， C0 2 pF的典型
C0 / C1比典型
≤
300
等效串联电阻20
Ω
最大。晶体具有较高的ESR ，如果频率是< 36 MHz的都可以使用。看
注2在第3页电气特性。
外部晶体连接在尽量靠近芯片越好，应该是对在同一侧
PCB作为MAS9275 。应该有晶体引脚和X1和X2器件引脚之间没有通路。那里
应无信号迹线的下方或接近晶体。
注： 1 。
如果带负荷比标称晶体负载电容等晶体中推荐定义
第2页的操作条件一起使用MAS9275 ，晶体必须具有频率，以抵消
有标称频率，在VC = 1.65 V或VC = 2.5 V.请见下表偏移频率与
晶体负载。 （数值为典型的晶体S = 30 PPM / PF ）。
晶振频率
晶体负载
A1
B2，C2
B3，C3 ， C4的
B3，C3 ， C4的
V
C
电压
1.65 V
1.65 V
1.65 V
2.5 V
19.68
8
+0
+60
+85
+30
19.68
27.00
40.00
10
12.5
16
晶体频率偏移
-60
-150
-240
0
-75
-180
+25
-50
-155
-30
-105
-210
兆赫
pF
PPM
PPM
PPM
PPM
连接到它。 MAS9275集成芯片
可变负载电容的“拉” （改变）
频率的晶体。指定晶体
与MAS9275B2使用被设计为具有零
频率误差时的片+杂散的总
电容为10pF （见注1 2页
其他电容的选择） 。
注意：
19.68 MHz晶体与10 pF负载电容使用MAS9275B2或C2可能不需要的频率
因为小的偏差补偿
例如：
对于应用程序使用MAS9275B2或C2与27.00 MHz的标称频率为12.5 pF负载晶体有
具有27.00兆赫+（（ 27.00兆赫/ 10的频率
6
）×（ - 90 ））= 26.99757兆赫。
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MAS [ MICRO ANALOG SYSTEMS ]
