DA7838.002
二零零零年九月二十〇日
$%62/87( 0$;,080 5$7,1*6
3DUDPHWHU
电源电压
储存温度
6\PERO
VDD
Ts
＆放大器; RQGLWLRQV
0LQ
-0.5
-55
0D[
5.5
+150
（GND = 0V ）
8QLW
V
o
C
5 （ &200 （' （' 23 （ 5 7.21美元&21 “ ， 7216
3DUDPHWHU
电源电压
电源电流
工作温度
6\PERO
VDD
国际直拨电话
Ta
0
＆放大器; RQGLWLRQV
0LQ
4.75
7\S
5
4
0D[
5.25
6
+70
8QLW
V
mA
o
C
（ / （安培; 75 ＆安培; $ /＆放大器; + $ $ 5及7 （ 5,67 ，和6
u
， QSXWV
（测试条件： VDD = 5V + ， VSS = 0V ， 0
O
C至70
O
C)
3DUDPHWHU
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输入电容负载
内部上拉电阻
数字输入
6\PERO
V
IH
V
IL
I
IL
C
I
R
引体向上
＆放大器; RQGLWLRQV
0LQ
3.5
7\S
0D[
1.1
8QLW
V
V
pA
pF
k
-100
5
VIN = 0.4V
VIN = 2.5V
350
850
u
2XWSXWV
3DUDPHWHU
（测试条件： VDD = 5V + ， VSS = 0V ， 0
O
C至70
O
C)
6\PERO
V
OL
V
OH
＆放大器; RQGLWLRQV
IOL = -0.6mA
IOH = 0.4毫安
0LQ
4.6
7\S
0D[
0.4
8QLW
V
V
输出低电压
输出高电压
u
“ DWD 7LPLQJ
3DUDPHWHU
（测试条件： VDD = 5V + ， VSS = 0V ， 0
O
C至70
O
C)
6\PERO
tR
tF
＆放大器; RQGLWLRQV
CL = 10pF的
CL = 10pF的
0LQ
7\S
20
20
0D[
8QLW
ns
ns
从低到高的逻辑过渡时间
高到低逻辑过渡时间
（测试条件： TSL = 1）
3DUDPHWHU
TXC后TDO延迟时间
RDI设置时间之前RXC
RDI RXC后保持时间
6\PERO
T1
T2
T3
＆放大器; RQGLWLRQV
0LQ
50
1/4 T
RXC
1/4 T
RXC
7\S
0D[
T
台湾晶技
/16+350
8QLW
ns
ns
ns
（测试条件： TSL = 0， TMG = 16xTXC ）
3DUDPHWHU
TXC后TDO延迟时间
RDI设置时间之前RXC
RDI RXC后保持时间
6\PERO
T1
T2
T3
＆放大器; RQGLWLRQV
0LQ
50
1/4 T
RXC
1/4 T
RXC
7\S
0D[
1/TMG+350
8QLW
ns
ns
ns
3 (9)
MAS [ MICRO ANALOG SYSTEMS ]
