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    GJM0335G2A9R9CB01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    70-W612M3A1K8SC02-L300FP7

     Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive temperature coefficient;Short tail current
    暂无信息
    0 VINCOTECH

    GRM0335C1H560FA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    RQ5A020ZP

     RQ5A020ZP是低导通电阻、内置栅极保护二极管的MOSFET。适合负荷开关用途。
    开关栅二极管栅极
    0 ROHM

    GQM2195C2E4R5BB12#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM216R11C273MA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GCD21BR71H823KA01#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    FDMA1025P

     双 P 沟道，Power Trench® MOSFET，-20V，-3.1A，155mΩ
    脉冲光电二极管晶体管
    0 ONSEMI

    GRM219C81C225MA12#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    1 MURATA

    GQM2195C2E9R2DB12#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    IMZA120R020M1H

     采用TO247-4封装的1200V 20mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此，CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。
    开关栅DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
    0 INFINEON

    NVMYS1D3N04CTWG

     功率 MOSFET，单 N 沟道，40 V，1.15Ω，252 A
    暂无信息
    1 ONSEMI

    ISC010N04NM6

     凭借先进的 40V OptiMOSTM 6  正常电平功率MOSFET，英飞凌为电池供电应用、电池供电工具、电池管理和低压驱动等所需的正常电平(较高阈值电压)应用提供了标杆解决方案。正常电平的产品组合具有较高的 Vth，这意味着只有较大的栅极电压尖峰才会导致不必要的导通。
    电池栅驱动栅极
    0 INFINEON

    10-FY07HVA050RG-L984F88

     High efficiency in hard switching and resonant topologies;High speed switching;Low gate charge
    暂无信息
    0 VINCOTECH

    PBSS5330PAS

     30 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction
    开关光电二极管晶体管
    0 NEXPERIA

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