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LY61L5128
2.2版
512K ×8位高速CMOS SRAM
注意事项：
1. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
2. V
IL
（分钟） = V
SS
- 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
3.过冲/下冲规范的特点，而不是100 ％测试。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。
典型的价值V的测
CC
= V
CC
（ TYP。 ）和T
A
= 25℃
5. 1毫安的特殊要求
6. 50μA的特殊要求
电容
(T
A
= 25
℃
中，f = 1.0MHz的）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
分钟。
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
注：这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0.2V至V
CC
- 0.2V
3ns
1.5V
C
L
= 30pF的+ 1TTL ，我
OH
/I
OL
= -8mA / 16毫安
AC电气特性
（ 1 ）读周期
参数
符号。
LY61L5128
-10
LY61L5128
-12
LY61L5128
-15
LY61L5128
-20
LY61L5128
单位
-25
MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。
读周期时间
t
RC
10
-
12
-
15
-
20
-
25
-
ns
地址访问时间
t
AA
-
10
-
12
-
15
-
20
-
25
ns
芯片使能存取时间
t
ACE
-
10
-
12
-
15
-
20
-
25
ns
输出启用访问时间
t
OE
-
5
-
6
-
7
-
8
-
9
ns
芯片使能在低Z输出
t
CLZ
*
2
-
3
-
4
-
4
-
4
-
ns
输出使能，以在低Z输出
t
OLZ
*
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
ns
芯片禁用输出高阻
t
CHZ
*
-
5
-
6
-
7
-
8
-
9
ns
输出禁用输出高阻
t
OHZ
*
-
5
-
6
-
7
-
8
-
9
ns
从地址变更输出保持
t
OH
3
-
3
-
3
-
3
-
3
-
ns
（ 2 ）写周期
参数
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据写入时间重叠
从写入时间结束数据保持
输出写入结束活动
写在高Z输出
LY61L5128
符号。
-10
LY61L5128
-12
LY61L5128
-15
LY61L5128
-20
LY61L5128
单位
-25
MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。
t
WC
10
-
12
-
15
-
20
-
25
-
t
AW
8
-
10
-
12
-
16
-
20
-
t
CW
8
-
10
-
12
-
16
-
20
-
t
AS
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
t
WP
8
-
9
-
10
-
11
-
12
-
t
WR
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
t
DW
6
-
7
-
8
-
9
-
10
-
t
DH
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
t
OW
*
2
-
3
-
4
-
5
-
6
-
t
WHZ
*
-
6
-
7
-
8
-
9
-
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
5楼， 2号，工业东路。九，科学工业园区，新竹300 ，台湾。
电话： 886-3-6668838
传真： 886-3-6668836
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5
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