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LY61L256
修订版1.2
32K ×8位高速CMOS SRAM
概述
该LY61L256是262,144位高速CMOS
静态随机存取存储器组织为32768
字由8位。它采用非常高的制作
高性能，高可靠性的CMOS技术。其
待机电流的范围内，稳定
工作温度。
该LY61L256是精心设计的高速
系统应用。易扩展是通过提供
采用低电平有效芯片使能（ CE ＃ ） 。活跃
LOW写使能（WE ＃ ）控制写入和
读存储器。
该LY61L256单电源工作
电源3.3V和所有输入和输出完全
TTL兼容
特点
快速存取时间：10 /12 / 15ns的
低功耗：
工作电流60 /50 / 40毫安（ TYP 。 ）
待机电流： 0.5毫安（ TYP 。 ）
1μA （典型值） LL-版
单3.3V电源
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据保持电压： 2.0V （ MIN ）
提供绿色包装
封装：28引脚300密耳SOJ
28引脚采用8mm x 13.4毫米STSOP
产品系列
产品
家庭
LY61L256
LY61L256
LY61L256(E)
LY61L256(E)
LY61L256(I)
LY61L256(I)
LY61L256(LL)
LY61L256(LL)
LY61L256(LLE)
LY61L256(LLE)
LY61L256(LLI)
LY61L256(LLI)
操作
温度
0 ~ 70℃
0 ~ 70℃
-20 ~ 80℃
-20 ~ 80℃
-40 ~ 85℃
-40 ~ 85℃
0 ~ 70℃
0 ~ 70℃
-20 ~ 80℃
-20 ~ 80℃
-40 ~ 85℃
-40 ~ 85℃
VCC范围
3.15 ~ 3.6V
3.0 ~ 3.6V
3.15 ~ 3.6V
3.0 ~ 3.6V
3.15 ~ 3.6V
3.0 ~ 3.6V
3.15 ~ 3.6V
3.0 ~ 3.6V
3.15 ~ 3.6V
3.0 ~ 3.6V
3.15 ~ 3.6V
3.0 ~ 3.6V
速度
10ns
12/15ns
10ns
12/15ns
10ns
12/15ns
10ns
12/15ns
10ns
12/15ns
10ns
12/15ns
功耗
待机（我
SB1,
TYP 。 ）工作（ICC ， TYP 。 ）
0.5mA
60mA
0.5mA
50/40mA
0.5mA
60mA
0.5mA
50/40mA
0.5mA
60mA
0.5mA
50/40mA
60mA
1μA(LL)
50/40mA
1μA(LL)
60mA
1μA(LL)
50/40mA
1μA(LL)
60mA
1μA(LL)
50/40mA
1μA(LL)
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