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LY61L25616
2.1版
256K ×16位高速CMOS SRAM
概述
该LY61L25616是4,194,304位低功耗
的CMOS静态随机存取存储器组织成
262,144字由16位。它使用非常捏造
高性能，高可靠性的CMOS技术。
其待机电流的范围内稳定
工作温度。
该LY61L25616是精心设计的低功耗
应用程序，并特别适合于电池
备份非易失性存储器应用。
该LY61L25616单电源工作
电源3.3V和所有输入和输出完全
TTL兼容
特点
快速存取时间：10 /12/ 15/20 / 25ns的
极低的功耗：
工作电流：
180/160/140/80/70mA(MAX.)
12毫安（最大支持10/ 12 / 15ns的）
5毫安（最大为20 / 25ns的）
100μA （ （最大为20 / 25ns的LL版）
单3.3V电源
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据字节控制： LB ＃ （ DQ0 〜 DQ7 ）
瑞银（ DQ8 〜 DQ15 ）
数据保持电压： 2.0V （ MIN ）
提供绿色包装
封装： 44引脚400密耳的TSOP -II
48球的6mm x 8毫米TFBGA
产品系列
产品
家庭
LY61L25616
LY61L25616(E)
LY61L25616(I)
LY61L25616
LY61L25616(E)
LY61L25616(I)
LY61L25616(LL)
LY61L25616(LLE)
LY61L25616(LLI)
操作
温度
0 ~ 70℃
-20 ~ 80℃
-40 ~ 85℃
0 ~ 70℃
-20 ~ 80℃
-40 ~ 85℃
0 ~ 70℃
-20 ~ 80℃
-40 ~ 85℃
VCC范围
3.15/3.0 ~ 3.6V
3.15/3.0 ~ 3.6V
3.15/3.0 ~ 3.6V
3.0 ~ 3.6V
3.0 ~ 3.6V
3.0 ~ 3.6V
3.0 ~ 3.6V
3.0 ~ 3.6V
3.0 ~ 3.6V
速度
10/12/15ns
10/12/15ns
10/12/15ns
20/25ns
20/25ns
20/25ns
20/25ns
20/25ns
20/25ns
功耗
待机（我
SB1,
MAX 。 ）工作（ICC ， MAX 。 ）
12mA
180/160/140mA
12mA
180/160/140mA
12mA
180/160/140mA
5mA
80/70mA
5mA
80/70mA
5mA
80/70mA
100µA
80/70mA
100µA
80/70mA
100µA
80/70mA
Lyontek公司
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