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LY61L1288
修订版1.2
128K ×8位高速CMOS SRAM
电容
(T
A
= 25
℃
中，f = 1.0MHz的）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
分钟。
-
-
最大
6
8
单位
pF
pF
注：这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0.2V至V
CC
- 0.2V
3ns
1.5V
C
L
= 30pF的+ 1TTL ，我
OH
/I
OL
= -4mA / 8毫安
AC电气特性
（ 1 ）读周期
参数
SYM 。 LY61L1288 LY61L1288 LY61L1288 LY61L1288单位
-8
-10
-12
-15
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
读周期时间
t
RC
8
-
10
-
12
-
15
-
ns
地址访问时间
t
AA
-
8
-
10
-
12
-
15
ns
芯片使能存取时间
t
ACE
-
8
-
10
-
12
-
15
ns
输出启用访问时间
t
OE
-
4
-
5
-
6
-
7
ns
芯片使能在低Z输出
t
CLZ
*
2
-
2
-
3
-
4
-
ns
输出使能到输出低-Z吨
OLZ
*
0
-
0
-
0
-
0
-
ns
芯片禁用到输出的高阻吨
CHZ
*
-
4
-
5
-
6
-
7
ns
输出禁止到输出的高阻吨
OHZ
*
-
4
-
5
-
6
-
7
ns
从地址变更吨输出保持
OH
3
-
3
-
3
-
3
-
ns
（ 2 ）写周期
参数
SYM 。 LY61L1288 LY61L1288 LY61L1288 LY61L1288单位
-8
-10
-12
-15
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
写周期时间
t
WC
8
-
10
-
12
-
15
-
ns
地址有效到写结束
t
AW
6.5
-
8
-
10
-
12
-
ns
芯片使能写操作的结束
t
CW
6.5
-
8
-
10
-
12
-
ns
地址建立时间
t
AS
0
-
0
-
0
-
0
-
ns
把脉冲宽度
t
WP
6.5
-
8
-
9
-
10
-
ns
写恢复时间
t
WR
0
-
0
-
0
-
0
-
ns
数据写入时间重叠
t
DW
5
-
6
-
7
-
8
-
ns
从写时刻T end数据保持
DH
0
-
0
-
0
-
0
-
ns
输出写入结束活动
t
OW
*
1.5
-
2
-
3
-
4
-
ns
写在高Z输出
t
WHZ
*
-
5
-
6
-
7
-
8
ns
*这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
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电话： 886-3-6668838
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