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LY61L1288
修订版1.2
128K ×8位高速CMOS SRAM
绝对最高可额定值*
参数
在V电压
CC
相对于V
SS
在任何其他引脚相对于V电压
SS
工作温度
储存温度
功耗
直流输出电流
符号
V
T1
V
T2
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
等级
-0.5到4.6
-0.5到V
CC
+0.5
0 〜70 （C级）
-20 〜80 （E级）
-40 〜85 （ I级）
-65到150
1
50
单位
V
V
℃
℃
W
mA
*应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
值仅为该设备甚至超过上述的这个业务部门所标明的任何其他条件的功能操作
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
真值表
模式
待机
输出禁用
读
写
注意：
CE＃
H
L
L
L
OE ＃
X
H
L
X
WE＃
X
H
H
L
I / O操作
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
电源电流
I
SB
,I
SB1
I
CC
I
CC
I
CC
H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
DC电气特性
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏
当前
输出高电压
输出低电压
平均开工
电源电流
待机功耗
电源电流
符号
V
CC
V
IH
*2
V
IL
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
I
CC
I
SB
I
SB1
*1
测试条件
-8/-10
-12/-15
V
CC
≧
V
IN
≧
V
SS
V
CC
≧
V
OUT
≧
V
SS
,
输出禁用
I
OH
= -4mA
I
OL
= 8毫安
-8
-10
-12
-15
CE＃ = V
IH ，
其他在V
IH
或V
IL
CE＃
≧
V
CC
- 0.2V,
其他引脚在0.2V或V
CC
-0.2V
周期时间=最小。
CE＃ = V
IL
, I
I / O
= 0毫安
其他引脚在V
IH
或V
IL
分钟。
3.15
3.0
2.0
- 0.3
-1
-1
2.4
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
3.3
3.3
-
-
-
-
-
-
80
75
70
65
3
0.6
*4
马克斯。
3.6
3.6
V
CC
+0.5
0.8
1
1
-
0.4
150
120
100
90
10
3
*5
单位
V
V
V
V
µA
µA
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
注意事项：
1. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
2. V
IL
（分钟） = V
SS
- 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
3.过冲/下冲规范的特点，而不是100 ％测试。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。
典型的价值V的测
CC
= V
CC
（ TYP。 ）和T
A
= 25℃
5. 1毫安的特殊要求
5楼， 2号，工业东路。九，科学工业园区，新竹300 ，台湾。
电话： 886-3-6668838
传真： 886-3-6668836
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保留权利更改规格和产品，恕不另行通知。
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