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LY61L12816
修订版1.2
128K ×16位高速CMOS SRAM
概述
该LY61L12816是2087152位低功耗
的CMOS静态随机存取存储器组织成
131,072字由16位。它使用非常捏造
高性能，高可靠性的CMOS技术。
其待机电流的范围内稳定
工作温度。
该LY61L12816是精心设计的低功耗
应用程序，并特别适合于电池
备份非易失性存储器应用。
该LY61L12816单电源工作
电源3.3V和所有输入和输出完全
TTL兼容
特点
快速存取时间：10 /12/ 15/20 / 25ns的
极低的功耗：
工作电流（普通版） ：
200/180/150/110/90mA(TYP.)
工作电流（ 15/20 / 25ns的LL版）：
45/40/35mA(TYP.)
待机电流（普通版） ：
0.5mA(TYP.)
待机电流（ 15/20 / 25ns的LL版）：
20µA(TYP.)
单3.3V电源
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据字节控制： LB ＃ （ DQ0 〜 DQ7 ）
瑞银（ DQ8 〜 DQ15 ）
数据保持电压： 2.0V （ MIN ）
提供绿色包装
封装： 44引脚400密耳的TSOP -II
产品系列
产品
家庭
LY61L12816
LY61L12816
LY61L12816(LL)
操作
温度
0 ~ 70℃
0 ~ 70℃
0 ~ 70℃
VCC范围
3.15 ~ 3.6V
3.0 ~ 3.6V
3.0 ~ 3.6V
速度
10/12ns
15/20/25ns
15/20/25ns
功耗
待机（我
SB1,
TYP 。 ）工作（ICC ， TYP 。 ）
0.5mA
200/180mA
0.5mA
150/110/90mA
20µA(LL)
45/40/35mA(LL)
Lyontek公司
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