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LY61L1024
2.2版
128K ×8位高速CMOS SRAM
概述
该LY61L1024是1,048,576位低功耗CMOS
静态随机存取存储器组织为131072
字由8位。它采用非常高的制作
高性能，高可靠性的CMOS技术。其
待机电流的范围内，稳定
工作温度。
该LY61L1024是精心设计的超高速
系统的应用，并且特别适用于
电池备份非易失性存储器应用。
该LY61L1024单电源工作
电源3.3V和所有输入和输出完全
TTL兼容
特点
快速存取时间：10 /12 / 15ns的
低功耗：
工作电流75 /70 / 65毫安（ TYP 。 ）
待机电流： 0.6毫安（ TYP 。 ）
1μA （典型值） LL -version
单3.3V电源
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据保持电压： 2.0V （ MIN ）
提供绿色包装
封装： 32引脚300密耳SOJ
32引脚采用8mm x 20毫米TSOP -I
32引脚采用8mm x 13.4毫米STSOP
产品系列
产品
家庭
LY61L1024
LY61L1024
LY61L1024(E)
LY61L1024(E)
LY61L1024(LL)
LY61L1024(LL)
LY61L1024(LLE)
LY61L1024(LLE)
操作
温度
0 ~ 70℃
0 ~ 70℃
-20 ~ 80℃
-20 ~ 80℃
0 ~ 70℃
0 ~ 70℃
-20 ~ 80℃
-20 ~ 80℃
VCC范围
3.15 ~ 3.6V
3.0 ~ 3.6V
3.15 ~ 3.6V
3.0 ~ 3.6V
3.15 ~ 3.6V
3.0 ~ 3.6V
3.15 ~ 3.6V
3.0 ~ 3.6V
速度
10ns
12/15ns
10ns
12/15ns
10ns
12/15ns
10ns
12/15ns
功耗
待机（我
SB1,
TYP 。 ）
工作（ICC ， TYP 。 ）
0.6mA
75mA
0.6mA
70/65mA
0.6mA
75mA
0.6mA
70/65mA
1µA
75mA
1µA
70/65mA
1µA
75mA
1µA
70/65mA
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