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LY616416ML-15LLIT 参数 Datasheet PDF下载

LY616416ML-15LLIT图片预览
型号: LY616416ML-15LLIT
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内容描述: 5V 64K ×16位高速CMOS SRAM [5V 64K X 16 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 13 页 / 167 K
品牌: LYONTEK [ Lyontek Inc. ]
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®
LY616416
修订版1.2
5V 64K ×16位高速CMOS SRAM
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0.2V至V
CC
- 0.2V
3ns
1.5V
C
L
= 30pF的+ 1TTL ,我
OH
/I
OL
= -8mA / 16毫安
AC电气特性
( 1 )读周期
参数
符号。
LY616416-15
分钟。
马克斯。
15
-
-
15
-
15
-
7
4
-
0
-
-
7
-
7
3
-
-
7
-
7
4
-
LY616416-20
分钟。
马克斯。
20
-
20
-
20
-
8
4
0
-
8
-
8
3
-
8
-
8
4
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
t
RC
地址访问时间
t
AA
芯片使能存取时间
t
ACE
输出启用访问时间
t
OE
芯片使能在低Z输出
t
CLZ
*
输出使能到输出低-Z吨
OLZ
*
芯片禁用到输出的高阻吨
CHZ
*
输出禁止到输出的高阻吨
OHZ
*
从地址变更吨输出保持
OH
LB # , UB #访问时间
t
BA
LB # , UB #到输出高阻态
t
BHZ
*
LB # , UB #为低阻抗输出
t
BLZ
*
( 2 )写周期
参数
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据写入时间重叠
从写入时间结束数据保持
输出写入结束活动
写在高Z输出
LB # , UB #有效的写操作的结束
符号。
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW
*
t
WHZ
*
t
BW
LY616416-15
分钟。
马克斯。
15
-
12
-
12
-
0
-
10
-
0
-
8
-
0
-
4
-
-
8
12
-
LY616416-20
分钟。
马克斯。
20
-
16
-
16
-
0
-
11
-
0
-
9
-
0
-
5
-
-
9
16
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*这些参数由器件特性保证,但未经生产测试。
Lyontek公司
保留权利更改规格和产品,恕不另行通知。
5楼, 2号,工业东路。九,科学工业园区,新竹300 ,台湾。
电话: 886-3-6668838
传真: 886-3-6668836
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