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LY615128
修订版1.3
5V 512K ×8位高速CMOS SRAM
概述
该LY615128是4,194,304位低功耗CMOS
静态随机存取存储器组织为524288
字由8位。它采用非常高的制作
高性能,高可靠性的CMOS技术。其
待机电流的范围内,稳定
工作温度。
该LY615128是精心设计的低功耗
应用程序,并特别适合于电池
备份非易失性存储器应用。
该LY615128单电源工作
5V电源和所有输入和输出完全TTL
兼容
特点
快速存取时间:10 /12 / 15ns的
低功耗:
工作电流:一百八十分之二百/ 150毫安( TYP 。 )
待机电流: 1mA(典型值)。
单5V电源
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据保持电压: 2.0V ( MIN )
提供绿色包装
封装: 44引脚400密耳的TSOP -II
产品系列
产品
家庭
LY615128
LY615128(E)
LY615128(I)
操作
温度
0 ~ 70℃
-20 ~ 80℃
-45 ~ 85℃
VCC范围
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
速度
15年10月12日NS
15年10月12日NS
15年10月12日NS
功耗
待机(我
SB1,
TYP 。 )工作(ICC , TYP 。 )
1mA
200/180/150mA
1mA
200/180/150mA
1mA
200/180/150mA
功能框图
引脚说明
符号
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
无连接
VCC
VSS
A0 - A18
DQ0 - DQ7
解码器
512Kx8
存储阵列
CE#
WE#
OE #
V
CC
V
SS
NC
A0-A18
DQ0-DQ7
I / O数据
电路
列I / O
CE#
WE#
OE #
控制
电路
Lyontek公司
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