®
LY6125616
2.1版
写周期3
(
LB # , UB #
控制)
(1,2,5,6)
t
WC
地址
t
AW
CE#
t
AS
LB # , UB #
t
WP
WE#
t
WHZ
DOUT
(4)
高-Z
t
DW
DIN
t
DH
t
CW
t
BW
t
WR
5V 256K ×16位高速CMOS SRAM
数据有效
注意事项:
1.我们# , CE # , LB # , UB #必须在所有的地址转换高。
低CE # ,低WE# , # LB或UB # =低重叠期间发生2.A写。
3.During一个WE#控制的写周期OE #低,T
WP
必须大于吨
WHZ
+ t
DW
以使驾驶者关闭和数据是
放置在总线上。
4.During此期间, I / O引脚的输出状态,输入信号不能被应用。
5.如果CE # , LB # ,同时发生或之后WE#低转换瑞银低电平的转换,输出保持在高阻抗
状态。
6.t
OW
和T
WHZ
用C指定
L
= 5pF的。转变是从稳态测量± 500mV的。
Lyontek公司
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