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LY612568
1.0版
5V 256K ×8位高速CMOS SRAM
概述
该LY612568是2,097,152位低功耗CMOS
静态随机存取存储器组织为262144
字由8位。它采用非常高的制作
高性能，高可靠性的CMOS技术。其
待机电流的范围内，稳定
工作温度。
该LY612568是精心设计的低功耗
应用程序，并特别适合于电池
备份非易失性存储器应用。
该LY612568单电源工作
5V电源和所有输入和输出完全TTL
兼容
特点
快速存取时间： 15/20 / 25ns的
低功耗：
工作电流：100 /80 / 75毫安（ TYP 。 ）
待机电流： 100μA （典型值）
单5V电源
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据保持电压： 2.0V （ MIN ）
提供绿色包装
封装： 44引脚400密耳的TSOP -II
产品系列
产品
家庭
LY612568
LY612568(E)
LY612568(I)
操作
温度
0 ~ 70℃
-20 ~ 80℃
-40 ~ 85℃
VCC范围
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
速度
15/20/25ns
15/20/25ns
15/20/25ns
功耗
待机（我
SB1,
TYP 。 ）工作（ICC ， TYP 。 ）
100µA
100/80/75mA
100µA
100/80/75mA
100µA
100/80/75mA
功能框图
引脚说明
符号
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
无连接
VCC
VSS
A0 - A17
DQ0 - DQ7
解码器
256Kx8
存储阵列
CE＃
WE＃
OE ＃
V
CC
V
SS
NC
A0-A17
DQ0-DQ7
I / O数据
电路
列I / O
CE＃
WE＃
OE ＃
控制
电路
Lyontek公司
保留权利更改规格和产品，恕不另行通知。
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