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LY6125616
修订版2.4
5V 256K ×16位高速CMOS SRAM
概述
该LY6125616是4,194,304位低功耗CMOS
静态随机存取存储器组织为262144
字由16位。它采用非常高的制作
高性能,高可靠性的CMOS技术。其
待机电流的范围内,稳定
工作温度。
该LY6125616是精心设计的低功耗
应用程序,并特别适合于电池
备份非易失性存储器应用。
该LY6125616单电源工作
5V电源和所有输入和输出完全TTL
兼容
特点
快速存取时间: 10/15 /20 / 25ns的
低功耗:
工作电流:一百四十○分之二百一十五/ 110 / 100mA(最大)。
待机电流:
15毫安(最大为10ns的)
3毫安(最大为15/20 / 25ns的)
100μA ( (最大为15/20 / 25ns的LL版)
单5V电源
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据字节控制: LB # ( DQ0 〜 DQ7 )
瑞银( DQ8 〜 DQ15 )
数据保持电压: 2.0V ( MIN )
提供绿色包装
封装: 44引脚400密耳的TSOP -II
48球的6mm x 8毫米TFBGA
产品系列
产品
家庭
LY6125616
LY6125616(I)
LY6125616
LY6125616(E)
LY6125616(I)
LY6125616(LL)
LY6125616(LLI)
操作
温度
0 ~ 70℃
-40 ~ 85℃
0 ~ 70℃
-20 ~ 80℃
-40 ~ 85℃
0 ~ 70℃
-40 ~ 85℃
VCC
范围
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
速度
10ns
10ns
15/20/25ns
15/20/25ns
15/20/25ns
15/20/25ns
15/20/25ns
功耗
待机(我
SB1
)
工作( ICC)
15mA(MAX.)
215mA(MAX.)
15mA(MAX.)
215mA(MAX.)
3毫安( MAX 。 )一百一十分之一百四十/ 100mA(最大)。
3毫安( MAX 。 )一百一十分之一百四十/ 100mA(最大)。
3毫安( MAX 。 )一百一十分之一百四十/ 100mA(最大)。
100μA (最大值)一百一十分之一百四十〇 / 100mA(最大)。
100μA (最大值)一百一十分之一百四十〇 / 100mA(最大)。
Lyontek公司
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