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MMBT3906LT1 参数 Datasheet PDF下载

MMBT3906LT1图片预览
型号: MMBT3906LT1
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内容描述: 通用晶体管( PNP硅) [General Purpose Transistor(PNP Silicon)]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管
文件页数/大小: 5 页 / 223 K
品牌: LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
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乐山无线电公司, LTD 。
MMBT3906LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明) (续)
特征
符号
h
FE
60
80
100
60
30
V
CE ( SAT )
––
––
V
BE ( SAT )
最大
单位
––
基本特征( 2 )
直流电流增益
(I
C
= -0.1 MADC ,V
CE
= -1.0 V直流)
(I
C
= -1.0 MADC ,V
CE
= -1.0 V直流)
(I
C
= -10 MADC ,V
CE
= -1.0 V直流)
(I
C
= -50 MADC ,V
CE
= -1.0 V直流)
(I
C
= -100 MADC ,V
CE
= -1.0 V直流)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= -10 MADC ,我
B
= -1.0 MADC )
(I
C
= -50 MADC ,我
B
= -5.0 MADC )
基射极饱和电压
(I
C
= -10 MADC ,我
B
= -1.0 MADC )
(I
C
= -50 MADC ,我
B
= -5.0 MADC )
––
––
300
––
––
VDC
– 0.25
– 0.4
VDC
– 0.65
––
– 0.85
– 0.95
小信号特性
电流增益 - 带宽积
(I
C
= -10 MADC ,V
CE
= -20伏直流, F = 100兆赫)
输出电容
(V
CB
= -5.0伏,我
E
= 0中,f = 1.0 MHz)的
输入电容
(V
EB
= -0.5伏,我
C
= 0中,f = 1.0 MHz)的
输入阻抗
(V
CE
= -10伏直流,我
C
= -1.0 MADC , F = 1.0千赫)
电压反馈比例
(V
CE
= -10伏直流,我
C
= -1.0 MADC , F = 1.0千赫)
小信号电流增益
(V
CE
= -10伏直流,我
C
= -1.0 MADC , F = 1.0千赫)
输出导纳
(V
CE
= -10伏直流,我
C
= -1.0 MADC , F = 1.0千赫)
噪声系数
(V
CE
= -5.0Vdc ,我
C
= –100
μAdc ,
R
S
= 1.0千欧, F = 1.0kHz )
f
T
250
C
敖包
––
C
IBO
––
h
ie
2.0
h
re
0.1
h
fe
100
* h
oe
3.0
NF
––
4.0
60
dB
400
μmhos
10
12
X 10
–4
兆赫
––
pF
4.5
pF
10
kΩ
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
(V
CC
= - 3.0伏,V
BE
= 0.5伏,
I
C
= -10 MADC ,我
B1
= -1.0 MADC )
(V
CC
= -3.0伏,我
C
= -10 MADC ,
I
B1
= I
B2
= -1.0 MADC )
t
d
t
d
t
s
t
f
35
35
225
75
ns
ns
3.脉冲测试:脉冲宽度<300
µs;
占空比<2.0 % 。
O12–2/5