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A8L图片预览
型号: A8L
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内容描述: 偏置电阻晶体管NPN硅表面贴装,带有单片偏置电阻网络晶体管 [BIAS RESISTOR TRANSISTOR, NPN SILICON SURFACE MOUNT TRANSISTOR WITH MONOLITHIC BIAS RESISTOR NETWORK]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 11 页 / 133 K
品牌: LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
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乐山无线电公司, LTD 。
LMUN2211LT1系列
热特性
等级
热电阻 - 结到环境(注1 )
工作和存储温度范围
最大焊接温度的目的,
在焊接洗澡时间
符号
R
θJA
T
J
, T
英镑
T
L
价值
508
-55到+150
260
10
单位
° C / W
°C
°C
美国证券交易委员会
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流(V
CB
= 50 V,I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流(V
CE
= 50 V,I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V,I
C
= 0)
LMUN2211LT1
LMUN2212LT1
LMUN2213LT1
LMUN2214LT1
LMUN2215LT1
LMUN2216LT1
LMUN2230LT1
LMUN2231LT1
LMUN2232LT1
LMUN2233LT1
LMUN2234LT1
LMUN2235LT1
LMUN2238LT1
LMUN2241LT1
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
4.0
0.1
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压(I
C
= 10
µA,
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压(注2 ) , (我
C
= 2.0毫安,我
B
= 0)
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
VDC
VDC
基本特征
(注2 )
直流电流增益
(V
CE
= 10 V,I
C
= 5.0 mA)的
LMUN2211LT1
LMUN2212LT1
LMUN2213LT1
LMUN2214LT1
LMUN2215LT1
LMUN2216LT1
LMUN2230LT1
LMUN2231LT1
LMUN2232LT1
LMUN2233LT1
LMUN2234LT1
LMUN2235LT1
LMUN2238LT1
LMUN2241LT1
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
160
160
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
140
350
350
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压(I
C
= 10 mA时,我
B
= 0.3 mA)的
(I
C
= 10 mA时,我
B
= 5 mA)的LMUN2230LT1 / LMUN2231LT1
(I
C
= 10 mA时,我
B
= 1 mA)的LMUN2215LT1 / LMUN2216LT1
LMUN2232LT1/LMUN2233LT1/LMUN2234LT1/
LMUN2235LT1/LMUN2238LT1
2.脉冲测试:脉冲宽度< 300
µs,
占空比< 2.0 % 。
V
CE ( SAT )
LMUN2211S–2/11