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A8B图片预览
型号: A8B
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内容描述: 偏置电阻晶体管NPN硅表面贴装,带有单片偏置电阻网络晶体管 [BIAS RESISTOR TRANSISTOR, NPN SILICON SURFACE MOUNT TRANSISTOR WITH MONOLITHIC BIAS RESISTOR NETWORK]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 11 页 / 133 K
品牌: LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
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乐山无线电公司, LTD 。
偏置电阻晶体管
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统(偏置电阻
晶体管),包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管
由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极
电阻器。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少
系统成本和电路板空间。该设备被容纳在SOT -23
包是专为低功耗表面贴装应用。
UN2211LT1系列
LMUN2211LT1
系列
3
1
2
SOT- 23 ( TO- 236AB )
简化网络连接的ES电路设计
减少了电路板空间和元件数量
采用SOT -23封装,可以使用波或回流焊接。该
焊接过程中修改鸥翼引线吸收热应力
消除损坏模具的可能性。
可在8毫米压纹卷带包装。使用设备
号码订购7寸/ 3000单元卷轴。替换“ T1”与
在设备编号“T3”订购the13英寸/ 10,000件卷轴。
最大额定值
( TA = 25° C除非另有说明)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
总功率耗散@ T
A
= 25°C
(注1 )减免上述25℃
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
D
价值
50
50
100
*246
1.5
单位
VDC
VDC
MADC
mW
° C / W
3脚
销1
BASE
(输入)
R
1
集热器
(输出)
销2
辐射源
(接地)
R
2
无铅封装可用。
在G-后缀是指一个Pb-Free
无铅封装
订购信息
设备
LMUN2211LT1G
LMUN2212LT1G
LMUN2213LT1G
LMUN2214LT1G
LMUN2215LT1G
LMUN2216LT1G
LMUN2230LT1G
LMUN2231LT1G
LMUN2232LT1G
LMUN2233LT1G
LMUN2234LT1G
LMUN2235LT1G
LMUN2238LT1G
LMUN2241LT1G
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
器件标识和电阻值
设备
LMUN2211LT1
LMUN2212LT1
LMUN2213LT1
LMUN2214LT1
LMUN2215LT1
LMUN2216LT1
LMUN2230LT1
LMUN2231LT1
LMUN2232LT1
LMUN2233LT1
LMUN2234LT1
LMUN2235LT1
LMUN2238LT1
LMUN2241LT1
记号
A8A
A8B
A8C
A8D
A8E
A8F
A8G
A8H
A8J
A8K
A8L
A8M
A8R
A8U
R1(K)
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
2.2
100
R2(K)
10
22
47
47
1.0
2.2
4.7
47
47
47
1.装置安装在FR-4玻璃环氧印刷电路板用的
推荐最低足迹。
LMUN2211S-1/11